[发明专利]一种半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201911257093.5 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN112951825A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 虞凌霄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 | ||
1.一种半导体器件的制作方法,包括：
获取衬底，所述衬底包括存储单元阵列区；
在所述存储单元阵列区形成间隔排布的字线沟槽；
在所述字线沟槽内填充字线导电材料，形成字线导电薄膜；
在所述衬底表面形成光刻胶，所述光刻胶覆盖字线接触部的字线导电薄膜且露出字线接触部之外的字线导电薄膜；
以所述光刻胶为阻挡层，将未被所述光刻胶覆盖的所述字线导电薄膜蚀刻至目标高度后得到字线导电结构，使得所述字线接触部的字线导电结构的厚度大于未被所述光刻胶覆盖的字线导电结构的厚度；
去除所述光刻胶。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述字线接触部位于所述字线导电结构的末端。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述光刻胶后，还包括：
在所述衬底表面形成第一绝缘介质层；
图形化所述第一绝缘介质层，在所述字线接触部上形成字线接触孔。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述衬底还包括周边电路区，所述周边电路区包括晶体管有源区，所述方法还包括：
在所述有源区表面形成第二绝缘介质层；
图形化所述第二绝缘介质层，在所述有源区的源极区/漏极区上形成有源区接触孔。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述字线接触孔和所述有源区接触孔是通过同一工艺制程形成的。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一绝缘介质层和所述第二绝缘介质层是通过同一工艺制程形成的。
7.一种半导体器件，包括：
衬底，所述衬底上形成有存储单元阵列区，所述存储单元阵列区形成有间隔排布的字线沟槽；
字线导电结构，所述字线导电结构包括字线接触部的字线导电结构和字线接触部之外的字线导电结构；
其中，字线接触部的字线导电结构的厚度大于所述字线接触部之外的字线导电结构的厚度。
8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，所述字线接触部位于所述字线导电结构的末端。
9.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，所述字线接触部的字线导电结构的厚度与所述字线接触部之外的字线导电结构的厚度的比值大于等于1.5且小于等于4.0。
10.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，所述器件还包括：
周边电路区，所述周边电路区包括晶体管有源区，所述有源区具有源极区/漏极区；
绝缘介质层，所述绝缘介质层位于所述字线导电结构和所述有源区表面；
字线接触结构，所述字线接触结构形成于所述字线接触部上且与所述字线接触部接触；
有源区接触结构，所述有源区接触结构形成于所述晶体管有源区上且与所述晶体管有源区的源极区/漏极区接触。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
