[发明专利]一种气提式DTB蒸发结晶器在审

专利信息
申请号: 201911256503.4 申请日: 2019-12-10
公开(公告)号: CN110882552A 公开(公告)日: 2020-03-17
发明(设计)人: 王斌 申请(专利权)人: 王斌
主分类号: B01D1/00 分类号: B01D1/00;B01D1/30;B01D9/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 233000 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 气提式 dtb 蒸发 结晶器
【说明书】:

发明涉及工业结晶技术领域,且公开了一种气提式DTB蒸发结晶器,包括结晶器、导流筒、过饱和料液进口、溶液出口、溶液出口、蒸汽出口和淘析柱,所述导流筒伸入结晶器的内部。相对与现有技术来说,本发明通过充气搅拌装置将气体通入结晶器中,并带动料液旋转上升,并且增加气体的流通速率可加大对料液的搅动,增加料液的流动速率,并增加溶质成核和晶体成长效率,同时有效减少晶体的机械碰撞,减少晶体的损伤,提高晶体的质量,同时由于气体从充气搅拌装置的内部流出,可减少料液与充气搅拌装置的内壁接触点与时间,可有效降低充气搅拌装置的内壁晶垢的形成速率,减少仪器的维护次数,降低维护成本。

技术领域

本发明涉及工业结晶技术领域,具体为一种气提式DTB蒸发结晶器。

背景技术

DTB蒸发结晶器1是一种细晶浆循环式结晶器1,如附图1,过饱和料液从过饱和料液进口5流入结晶器1,并由缓慢转动的搅拌装置4沿筒形挡板3送至液面,过饱和料液在液面蒸发冷却,达到过饱和状态,其中部分溶质在悬浮的颗粒表面沉积,使晶体长大,同时结晶器1与导流筒2之间形成一个沉降区,在沉降区内大颗粒沉降,而小颗粒则随母液从溶液出口6排出进入循环管并受热溶解,晶体则从结晶器1的底部沉入淘析柱8中,但在此结晶过程中存在着一些不足:

当搅拌装置4对料液进行搅拌时,转动速率较慢时,对料液的搅动效果不佳,无法使料液上升和加快料液流动速率,当搅拌装置4转动速率较快时,其转动叶片对料液中的晶体造成剪切碰撞,导致料液中的晶体破碎,使得晶体的质量下降,同时搅拌过程中使得料液与筒形挡板3的内壁形成碰撞,加大料液与筒形挡板3的接触面积,使得筒形挡板3的内壁极易形成晶垢,造成筒形挡板3的内部空间缩小,对料液的流动造成极大的降低。

发明内容

本发明提供了一种气提式DTB蒸发结晶器,具备大幅度增加结晶速率的优点,解决了上述背景技术中的问题。

本发明提供如下技术方案:一种气提式DTB蒸发结晶器,包括结晶器、导流筒、过饱和料液进口、溶液出口、溶液出口、蒸汽出口和淘析柱,所述导流筒伸入结晶器的内部,且两者之间形成沉降区,所述导流筒的顶部固定安装有导气装置,所述导气装置的顶部固定连接有耐热充气泵,所述导气装置的底部固定连接有导气筒,所述耐热充气泵、导气装置和导气筒位于结晶器和导流筒的中心处。

优选的,所述导气装置由连接管、中空圆筒和导气管组成,所述连接管的顶端与耐热充气泵连通,所述连接管的另一端与中空圆筒的顶部连通,所述中空圆筒与导流筒直接焊接密封所述导气管有四根均且匀分布在中空圆筒的底部并连通,所述导气管的一端与导气筒的上表面连接。

优选的,所述导气筒包括导气筒外壁、导气筒内壁和导气孔,所述导气筒外壁与导气筒内壁的顶部与底部分别固定连接且两者之间形成中空层,所述导气装置上开设有导气筒所述耐热充气泵与导气装置通过焊接的方式连接。

优选的,所述导气孔共有八层且每层共有六个,所述导气筒均匀分布在导气装置的中下部并与中空层连通,所述导气筒开口向上并与导气装置呈三十度。

本发明具备以下有益效果:

1、相对与现有技术来说,本发明通过充气搅拌装置将气体通入结晶器中,并带动料液旋转上升,并且增加气体的流通速率可加大对料液的搅动,增加料液的流动速率,并增加溶质成核和晶体成长效率,同时有效减少晶体的机械碰撞,减少晶体的损伤,提高晶体的质量,同时由于气体从充气搅拌装置的内部流出,可减少料液与充气搅拌装置的内壁接触点与时间,可有效降低充气搅拌装置的内壁晶垢的形成速率,减少仪器的维护次数,降低维护成本。

2、通过通入气体对料液进行提升与搅拌,使得通入的气体与料液接触,对料液进行冷却,降低料液的溶解度,加快料液从过饱和溶液达到饱和溶液,加快晶体析出,提高晶体形成速率,同时气泡到达液面时破裂,提高液面溶液运动速率,加快蒸发冷却速率,增加晶体析出和成长速度。

附图说明

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