[发明专利]一种增大质量块的电容式三轴加速度计及其制作方法

权利要求书

1.一种增大质量块的电容式三轴加速度计，其特征在于：所述的微加速度计采用SOI硅片制成，具体包括设置有阻尼孔的主质量块、八个矩形质量块、梁结构、锚点、可动梳齿电极、固定梳齿电极、U型固定结构、锚点电极以及固定电极。

2.根据权利要求1所述的电容式三轴加速度计，其特征在于：整体结构为米字形，采用四组等高梳齿电极测量平面内的加速度，采用四组不等高梳齿测量垂直方向的加速度。

3.根据权利要求1所述的电容式三轴加速度计，其特征在于：主质量块部分包括SOI的顶层硅、中间氧化层和部分底层硅。

4.根据权利要求1所述的电容式三轴加速度计，其特征在于：所采用的SOI硅片为顶层硅厚度为40um-60um，电阻率＜0.01Ωcm，N型双面抛光的SOI硅片。

5.一种增大质量块的电容式三轴加速度计的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)热氧化形成用于后续正面深硅刻蚀的氧化硅硬掩膜的步骤；

(2)沉积形成正面金属电极的步骤；

(3)形成用于后续正面深硅刻蚀的聚酰亚胺硬掩膜的步骤；

(4)两次深硅刻蚀形成正面不等高梳齿电极的步骤；

(5)刻蚀底层硅形成背面增大质量块部分的步骤；

(6)释放中间氧化层得到悬空结构的步骤。