[发明专利]声波谐振器

说明书

本发明提供一种声波谐振器，所述声波谐振器包括：谐振单元，包括压电层、设置在所述压电层的下侧上的第一电极和设置在所述压电层的上侧上的第二电极；基板，设置在所述谐振单元的下方；支撑单元，在所述基板与所述谐振单元之间形成腔；以及柱，延伸穿过所述腔，并将所述谐振单元连接到所述基板。所述谐振单元还包括设置在所述柱的上方的第一插入层。

本申请要求分别于2018年12月19日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0165540号韩国专利申请、于2019年3月19日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0030936号韩国专利申请和于2019年9月5日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0110201号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。

技术领域

以下公开涉及一种声波谐振器。

背景技术

随着近来移动通信装置、化学和生物装置等的快速发展，对在这样的装置中使用的小而轻的滤波器、振荡器、谐振元件、声波谐振质量传感器等的需求正在增加。声波谐振器可被构造为用于实现这种小而轻的滤波器、振荡器、谐振元件和声波谐振质量传感器等的装置，并且可被实现为薄膜体声波谐振器(FBAR)。

FBAR可以以最小的成本批量生产，并且可被实现为具有超小型的尺寸。此外，FBAR可实现高品质因数(QF)值(QF值为滤波器的主要特征)，并且即使在微波频带中也可使用。具体地，FBAR可实现个人通信系统(PCS)的频带和数字无线系统(DCS)的频带。

发明内容

提供本发明内容以按照简化的形式介绍选择的构思，并在下面的具体实施方式中进一步描述选择的构思。本发明内容既不意在限定要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用于帮助确定要求保护的主题的范围。

在一个总体方面，一种声波谐振器包括：谐振单元，包括压电层、设置在所述压电层的下侧上的第一电极以及设置在所述压电层的上侧上的第二电极；基板，设置在所述谐振单元的下方；支撑单元，在所述基板与所述谐振单元之间形成腔；以及柱，延伸穿过所述腔，并将所述谐振单元连接到所述基板。所述谐振单元还包括设置在所述柱的上方的第一插入层。

所述声波谐振器还可包括设置在所述支撑单元与所述腔之间的第一蚀刻停止层。

所述柱可包括：第二蚀刻停止层，设置在所述腔中，并且设置在所述谐振单元与所述基板之间；以及导热层，被所述第二蚀刻停止层围绕，并且利用与所述第二蚀刻停止层的材料不同的材料形成。

孔可位于所述柱的上方，并且可设置在所述第一电极与所述第二电极中的任意一者或两者中。

所述声波谐振器还可包括：框架，设置在所述第一电极的上侧或所述第二电极的上侧上，并且被设置为围绕所述孔；以及第二插入层，在水平方向上比所述第一插入层更远离所述柱设置。

所述第一插入层可被设置为覆盖所述孔。

所述声波谐振器还可包括框架，所述框架设置在所述第一电极的上侧或所述第二电极的上侧上，并围绕所述谐振单元的至少一部分。

所述谐振单元还可包括在所述水平方向上比所述第一插入层更远离所述柱设置的第二插入层。

所述第一插入层可包括金属插入层。

所述第一插入层还可包括设置在所述第一电极与所述压电层之间的绝缘插入层。所述金属插入层可设置在所述第一电极与所述柱之间。

所述谐振单元还可包括：第二插入层，在所述水平方向上比所述第一插入层更远离所述柱设置，所述第二插入层包括金属并且电连接到所述第一电极或所述第二电极；以及金属层，电连接到所述第二插入层，所述金属层设置在所述第一电极的上侧或所述第二电极的上侧上，并且利用与所述第一电极或所述第二电极的材料不同的材料形成。