[发明专利]显示装置在审
申请号: | 201911254969.0 | 申请日: | 2019-12-10 |
公开(公告)号: | CN111293146A | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 崔晶浩;康南洙;金里瑟;朴兴洙;李炫植;李欣承;黄载薰 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 陈亚男;尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
公开了一种显示装置。该显示装置包括:第一基体基底,包括多个像素;像素电极,在所述多个像素中的每个中位于第一基体基底上并包括反射膜;堤层,在像素电极上并部分地暴露像素电极;有机层,在堤层上并电连接到暴露的像素电极;以及共电极,在有机层上,其中,像素电极对420nm至470nm的第一波长范围内的光具有80%或更大的反射率。
本申请要求于2018年12月10日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0158026号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种显示装置。
背景技术
随着多媒体的发展,显示装置正变得越来越重要。因此,正在开发诸如液晶显示装置(LCD)和有机发光二极管显示装置(OLED)的各种显示装置。
显示装置中的OLED包括作为自发光元件的有机发光元件。有机发光元件可以包括两个面对的电极(像素电极和阴极)以及置于所述两个电极之间的有机发光层。从所述两个电极提供的电子和空穴可以在发光层中复合以产生激子。当产生的激子从激发态变为基态时,可以发射光。
因为OLED不需要光源,所以它们的功耗相对低,可以制造得相对轻质且薄,并具有相对宽的视角、高亮度和对比度以及快响应速度。由于这些高质量的特性,OLED作为下一代显示装置正受到关注。
当OLED是顶发射型时,有机发光元件的像素电极可以包括反射材料,以将从有机发光元件的有机发光层发射的光朝向显示表面反射。
本说明书的背景技术部分包括旨在为示例实施例提供上下文的信息,并且本背景技术部分中的信息不一定构成现有技术。
发明内容
本公开的一些示例实施例的各方面包括一种其中可以改善有机发光元件的效率的显示装置。
本公开的一些示例实施例的各方面还提供一种其中可以减小有机发光元件的共电极的薄层电阻的显示装置。
然而,本公开的一些示例实施例的各方面不限于在此所阐述的一个方面。通过参照下面给出的本公开的详细描述,本公开的以上方面和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加清楚。
根据本公开的一些示例实施例,提供了一种显示装置。
根据本公开的一些示例实施例,一种显示装置包括:第一基体基底,包括多个像素;像素电极,在所述多个像素中的每个中位于第一基体基底上并包括反射膜;堤层,在像素电极上并部分地暴露像素电极;有机层,在堤层上并电连接到暴露的像素电极;以及共电极,在有机层上,其中,像素电极对420nm至470nm的第一波长范围内的光具有80%或更大的反射率。
根据一些示例实施例,像素电极对510nm至550nm的第二波长范围内的光的平均反射率与像素电极对420nm至470nm的第一波长范围内的光的平均反射率之间的差小于5%。
根据一些示例实施例,有机层可以发射第一波长范围内的光。
根据一些示例实施例,像素电极还可以包括在反射膜上的上膜,其中,上膜包括ITO、IZO、ZnO、ITZO、In2O3和MgO中的任何一种。
根据一些示例实施例,像素电极还可以包括在反射膜下方的下膜,其中,下膜包括ITO、IZO、ZnO、ITZO、In2O3和MgO中的任何一种。
根据一些示例实施例,反射膜可以包括AlNiX,其中,X是选自于La、Ce、Pr、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Tb和Lu中的任何一种元素。
根据一些示例实施例,显示装置还可以包括在共电极上方的波长转换图案。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的