[发明专利]一种替代激光直接成型技术的天线制备方法有效
| 申请号: | 201911253360.1 | 申请日: | 2019-12-09 |
| 公开(公告)号: | CN111005003B | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
| 发明(设计)人: | 廖斌;欧阳晓平;罗军;张旭;吴先映;庞盼;陈琳;韩然 | 申请(专利权)人: | 北京师范大学 |
| 主分类号: | C23C14/48 | 分类号: | C23C14/48;C23C14/22;C23C14/04;C23C14/56 |
| 代理公司: | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人: | 曹鹏飞 |
| 地址: | 100875 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 替代 激光 直接 成型 技术 天线 制备 方法 | ||
本发明公开了一种替代激光直接成型技术的天线制备方法,基体样品通过传输带进入准备室,准备室内有吹干系统保证样品的干净和干燥;基体样品干燥后通过传送带进入预抽室;抽气完成后通过传送带进入缓冲室,缓冲室通过分子泵进行高真空抽气;最后进入处理室,在处理室内进行高能离子注入和低能离子束沉积操作,最后进行样品收集,完成处理流程。本发明提供了一种替代激光直接成型技术的天线制备方法,该方法基于高能离子束技术、低能离子束技术以及相关掩模技术形成具备一定功能的金属天线。通过该方法制备的天线,具有成本低、无需激光粉、耐腐蚀性好、结合强度高、膜层一致性好、表面粗糙度低、环保等特点。
技术领域
本发明涉及天线制备技术领域,更具体的说是涉及一种替代激光直接成型技术的天线制备方法。
背景技术
随着人们对智能手机外观的关注度越来越高,目前各手机厂家都在手机外观上不断创新。手机越做越薄,金属使用越来越多,这给手机天线的调试带来很大挑战,由于目前智能手机的使用频段都在5个以上,更加大了天线设计的难度。目前常用的天线实现技术为LDS天线。LDS天线是在成型的塑料支架上,利用激光镭射技术直接在支架上化镀形成金属天线pattern。LDS技术实现的关键因素包括三个,首要必须有对镭雕激光敏感的LDS专用料作为基材;二是电路设计及激光雕刻系统;最后是良好有效化镀系统及过程控制。目前的LDS天线技术有三个重大缺点:一是其需要在聚合物表面涂覆或者掺杂激光粉,在激光扫描过程中能够形成金属核,掺杂激光粉技术难度较高;二是其形成的线路表面粗糙度太大,严重影响信号的传输和增加损耗;三是在形成金属核后还需经过化学镀进行图形加厚,环保性差。
因此,如何提供一种新的天线制备技术是本领域技术人员亟需解决的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种替代激光直接成型技术的天线制备方法,能方便形成所设计的电路,大大提高了处理,同时大大降低了制备成本。通过技术的更替,具有高耐腐蚀性、高稳定性、低成本等特点;该方法基于高能离子束技术、低能离子束技术以及相关掩模技术形成具备一定功能的金属天线。通过该方法制备的天线,具有成本低、无需激光粉、耐腐蚀性好、结合强度高、膜层一致性好、表面粗糙度低、环保等特点;本发明的制备方法在5G天线制备方面有着重要的应用前景。
为了实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种替代激光直接成形技术的装置,包括:预抽室、缓冲室和处理室;三维基板依次穿过所述预抽室、所述缓冲室和所述处理室;所述预抽室和所述缓冲室维持室内真空度;所述处理室进行高能离子注入和低能离子沉积;所述预抽室、所述缓冲室和所述处理室的三维基板通道尺寸与所述三维基板相同。
通过上述技术方案,本发明的技术效果在于:预抽室起到的作用为维持真空度为1×10-1-10Pa,防止因压差太高而导致沉积条件不满足或者设备受损;其中缓冲室起到的作用为维持真空度为1×10-2-1×10-1Pa,防止因压差太高而导致沉积条件不满足或者设备受损。
优选的,在上述的一种替代激光直接成形技术的装置中,还包括:传动装置和准备室;所述准备室与所述预抽室连接;所述传动装置包括传送带、主动辊、从动辊;所述主动辊和所述从动辊的数量至少为一个;所述主动辊和所述从动辊通过所述传送带连接;所述传送带设置在准备室、预抽室、缓冲室、处理室的下方;所述传送带的转动方向从准备室到处理室。
通过上述技术方案,本发明的技术效果在于:自动化程度更高,只需将三维基板置于传送带上,便能实现整个处理过程。
优选的,在上述的一种替代激光直接成形技术的装置中,所述缓冲室顶部安装有分子泵。
通过上述技术方案,本发明的技术效果在于:缓冲室通过分子泵进行高真空抽气,维持真空度为1×10-2-1×10-1Pa。
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