[发明专利]一种应用于霍尔推力器簇的抗磁干扰支架有效
| 申请号： | 201911253087.2 | 申请日： | 2019-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN110894823B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 丁永杰;李鸿;范昊天;魏立秋;于达仁 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | F03H1/00 | 分类号： | F03H1/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 王海婷 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 霍尔 推力 干扰 支架 | ||
1.一种应用于霍尔推力器簇的抗磁干扰支架，其特征在于：包括导磁底板和均匀设置在导磁底板上的多个导磁套筒，所述的导磁底板和多个导磁套筒一体成型设置，每一导磁套筒内安置霍尔推力器簇的一个推力器单元，每一导磁套筒完全遮挡其内的推力器单元，各导磁套筒间均设有间隙，多个导磁套筒围合的区域中心为导磁底板的中心，在多个导磁套筒围合的区域中心布置阴极，所述阴极为霍尔推力器簇的各推力器单元的共享阴极。
2.根据权利要求1所述的一种应用于霍尔推力器簇的抗磁干扰支架，其特征在于：各推力器单元及共享阴极均采用螺栓与导磁底板相连接，导磁底板底部相应位置开有通孔，相应的电气供应管路可直接穿过导磁底板通孔分别与推力器单元及阴极相连。
3.根据权利要求1所述的一种应用于霍尔推力器簇的抗磁干扰支架，其特征在于：所述导磁底板和多个导磁套筒的材质均为纯铁。
4.根据权利要求1所述的一种应用于霍尔推力器簇的抗磁干扰支架，其特征在于：所有导磁套筒均沿导磁底板的外围设置，多个导磁套筒围合区域大小与阴极尺寸相匹配。
5.根据权利要求1所述的一种应用于霍尔推力器簇的抗磁干扰支架，其特征在于：导磁套筒的形状与推力器单元磁路外包络结构相对应，导磁套筒与相应的推力器单元间的间隙尺寸在周向上相一致，且该间隙尺寸需大于推力器单元磁路外包络尺寸的8％。
6.根据权利要求5所述的一种应用于霍尔推力器簇的抗磁干扰支架，其特征在于：导磁套筒的高度需高于推力器单元磁极端面，且高度差大于推力器磁路外包络尺寸的18％且小于推力器磁路外包络尺寸的40％。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的一种应用于霍尔推力器簇的抗磁干扰支架，其特征在于：所述导磁底板为圆形底板，在导磁底板上圆周阵列多个导磁套筒。
8.根据权利要求1-6中任一项所述的一种应用于霍尔推力器簇的抗磁干扰支架，其特征在于：所述导磁底板为正方形底板，在导磁底板上矩形阵列四个导磁套筒。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学，未经哈尔滨工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911253087.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
