[发明专利]一种集成单元二极管芯片

权利要求书

1.一种集成单元二极管芯片，其特征在于，所述集成单元二极管芯片包括二极管台面结构和第二导电类型焊盘，所述二极管台面结构包括多个二极管单元，其中所述二极管单元沿y轴方向的宽度在所述y轴方向上从所述集成单元二极管芯片的中间往两边逐渐变小，其中所述y轴方向为所述集成单元二极管芯片的宽度方向；其中所述多个二极管单元沿x轴方向的长度从靠近所述第二导电类型焊盘开始沿所述x轴方向逐渐变小，其中所述x轴方向为所述集成单元二极管芯片的长度方向。

2.根据权利要求1所述的集成单元二极管芯片，其特征在于，所述第二导电类型焊盘沿所述x轴方向靠近所述集成单元二极管芯片的边缘设置，且沿所述y轴方向相对所述集成单元二极管芯片居中设置。

3.根据权利要求1所述的集成单元二极管芯片，其特征在于，所述第二导电类型焊盘为n焊盘。

4.根据权利要求1所述的集成单元二极管芯片，其特征在于，所述集成单元二极管芯片进一步包括第一导电类型电极和第二导电类型电极，所述二极管台面结构位于所述第一导电类型电极上。

5.根据权利要求4所述的集成单元二极管芯片，其特征在于，所述第二导电类型电极为n电极。

6.根据权利要求4所述的集成单元二极管芯片，其特征在于，所述二极管台面结构包括第一导电类型层、量子阱有源区、第二导电类型层和绝缘介质层，所述第一导电类型层、量子阱有源区、第二导电类型依次层叠设置，所述二极管单元之间设置有沟槽结构，所述绝缘介质层从所述沟槽结构内延伸至所述第二导电类型层远离所述量子阱有源区的一侧，所述第二导电类型电极设置于所述绝缘介质层上，且从所述沟槽结构内延伸至所述第二导电类型层远离所述量子阱有源区的一侧，并接触所述第二导电类型层。

7.根据权利要求1所述的集成单元二极管芯片，其特征在于，所述多个二极管单元的连接方式为并联。

8.根据权利要求1所述的集成单元二极管芯片，其特征在于，所述二极管单元上设置有孔结构。

9.根据权利要求8所述的集成单元二极管芯片，其特征在于，所述孔结构包括1个～1000000个孔单元，所述孔单元直径为0.001微米～20微米。