[发明专利]包括穿通电极的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一半导体芯片；以及

第二半导体芯片，其层叠在所述第一半导体芯片上，并且通过第一穿通电极和第二穿通电极而电连接至所述第一半导体芯片，

其中，在第一测试操作期间，所述第一半导体芯片将所述第一穿通电极和所述第二穿通电极电连接至第一测试电阻器和第二测试电阻器，以及

其中，在所述第一测试操作期间，所述第一半导体芯片检测分别耦接到所述第一穿通电极和所述第二穿通电极的第一内部节点和第二内部节点的电压电平，以测试所述第一穿通电极和所述第二穿通电极的开路故障，所述第一内部节点和所述第二内部节点的电压电平由所述第一测试电阻器的电阻值和所述第二测试电阻器的电阻值以及所述第一穿通电极的电阻值和所述第二穿通电极的电阻值来确定。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一测试电阻器的电阻值被设置为与被视为是没有开路故障的正常穿通电极的所述第一穿通电极的电阻值相对应；以及

其中，所述第二测试电阻器的电阻值被设置为与被视为是没有开路故障的正常穿通电极的所述第二穿通电极的电阻值相对应。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一半导体芯片被配置为包括第一测试控制电路；以及

其中，当开路测试信号被使能以执行所述第一测试操作时，所述第一测试控制电路被配置为顺序地将所述第一测试电阻器和所述第二测试电阻器连接至所述第一穿通电极和所述第二穿通电极中的相应穿通电极，以及被配置为检测所述第一内部节点和所述第二内部节点的电压电平以顺序地测试所述第一穿通电极和所述第二穿通电极的开路故障。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一测试控制电路包括：

第一控制电路，被配置为产生第一使能信号和第一测试数据，所述第一使能信号和所述第一测试数据在芯片识别信号和开路测试信号被使能时而被使能；以及被配置为产生第一开路开关信号和第二开路开关信号，所述第一开路开关信号和所述第二开路开关信号在所述芯片识别信号和所述开路测试信号被使能时而被顺序地使能；

第一测试电路，被配置为基于所述第一使能信号和所述第一测试数据而将所述第一穿通电极驱动到预定逻辑电平，被配置为在所述第一开路开关信号被使能时将所述第一测试电阻器电连接至所述第一穿通电极，以及被配置为检测所述第一内部节点的电压电平以产生第一标志信号；

第二测试电路，被配置为基于所述第一使能信号和所述第一测试数据而将所述第二穿通电极驱动到所述预定逻辑电平，被配置为在所述第二开路开关信号被使能时将所述第二测试电阻器电连接至所述第二穿通电极，以及被配置为检测所述第二内部节点的电压电平以产生第二标志信号；以及

感测电路，被配置为当所述开路测试信号被使能时将所述第一标志信号和所述第二标志信号合成以产生检测信号。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一控制电路包括：

选择信号发生电路，被配置为产生第一选择信号和第二选择信号，所述第一选择信号和所述第二选择信号在所述芯片识别信号和所述开路测试信号被使能时而被顺序地使能；

逻辑电路，被配置为在所述开路测试信号被使能时产生被使能的所述第一使能信号和所述第一测试数据；以及

第一开关信号发生电路，被配置为当所述开路测试信号被使能时从所述第一选择信号和所述第二选择信号产生所述第一开路开关信号和所述第二开路开关信号。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一测试电路包括：

第一电阻器连接电路，其耦接在电源电压端子与连接至所述第一穿通电极的所述第一内部节点之间，以及被配置为当所述第一开路开关信号被使能时将所述第一测试电阻器连接至所述第一内部节点；

第一发送器，被配置为基于所述第一使能信号和所述第一测试数据而将所述第一穿通电极驱动到所述预定逻辑电平；

第一接收器，被配置为检测所述第一内部节点的电压电平以产生第一内部检测信号；以及

第一输出电路，被配置为当所述开路测试信号被使能时从所述第一内部检测信号产生所述第一标志信号。