[发明专利]用于获得在载体基板上重构的发光二极管的方法

权利要求书

1.一种用于获得在载体基板(20)上重构的一个或多个发光二极管LED器件的方法(10)，所述方法(10)包括：

提供(11)硅基半导体基板作为载体基板(20)，

为所述一个或多个LED器件的每一者提供(12)包括LED层(31)的化合物半导体堆叠(30)，

将氮化碳化硅SiCN层(32、21)分别施加(13)到所述堆叠(30)和所述基板(20)，

将所述堆叠(30)粘合(14)到所述基板(20)，其中被施加到所述堆叠(30)的所述SiCN层(32)和被施加到所述基板(20)的所述SiCN层(21)相接触，

在粘合(14)之后，以等于或高于用于从所述堆叠(30)完成所述LED器件的处理温度的温度对经粘合的堆叠(30)和基板(20)进行退火(15)，其中所述温度为至少400℃。

2.根据权利要求1所述的方法(10)，其特征在于：

所述退火(15)在粘合(14)之后以等于或高于550℃的温度被执行。

3.根据权利要求1至2中的一项所述的方法(10)，其特征在于：

所述退火(15)在粘合(14)之后被执行达30分钟和5小时之间的历时。

4.根据权利要求1至3中的一项所述的方法(10)，其特征在于：

用于从所述堆叠(30)完成所述LED器件的所述处理温度等于或低于550℃。

5.根据权利要求1至4中的一项所述的方法(10)，其特征在于：

从所述堆叠(30)完成所述LED器件包括在所述堆叠(30)上形成顶部接触(51)，尤其是接触形成，以接触所述LED层(31)。

6.根据权利要求1至5中的一项所述的方法(10)，其特征在于：

所述硅基半导体基板(20)为300mm晶片的形式。

7.根据权利要求1至6中的一项所述的方法(10)，其特征在于：

所述化合物半导体堆叠(30)包括III-V半导体材料化合物、II-VI半导体材料化合物、或金属氮化物化合物。

8.根据权利要求1至7中的一项所述的方法(10)，其特征在于：

所述化合物半导体所述(30)包括GaN基LED层(31)。

9.根据权利要求1至8中的一项所述的方法(10)，其特征在于，施加所述SiCN层(32、21)包括：

在所述堆叠(30)和所述基板(20)上分别形成SiN层或经抛光的电介质，以及

在相应的SiN层或经抛光的电介质上形成所述SiCN层(32、21)。

10.根据权利要求1至9中的一项所述的方法(10)，其特征在于，进一步包括：

在粘合(14)之前对所述SiCN层(32、21)进行平坦化，以获得低于1nm的所述SiCN层(32、21)的表面粗糙度。

11.根据权利要求1至11中的一项所述的方法(10)，其特征在于，进一步包括：

在粘合(14)之前但在施加(13)所述SiCN层(32、21)之后，以至少400℃，尤其是400-600℃之间的温度对所述堆叠(30)和所述基板(20)进行退火。

12.根据权利要求11所述的方法(10)，其特征在于

所述退火在粘合(14)之前被执行达30分钟和5小时之间的历时，尤其达2小时的历时。

13.根据权利要求1至12中的一项所述的用于获得在所述载体基板(20)上重构的多个LED器件的方法(10)，其特征在于：

多个所述化合物半导体堆叠(30)对应于所述多个LED器件的每一者被提供，被粘合(14)到所述基板(20)，并且以等于或高于所述处理温度的温度被共同地退火(15)。