[发明专利]可变传导性气体分布装置和方法有效
| 申请号: | 201911250100.9 | 申请日: | 2015-09-29 |
| 公开(公告)号: | CN110846638B | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
| 发明(设计)人: | J·K·舒格鲁 | 申请(专利权)人: | ASMIP控股有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 周全 |
| 地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 可变 传导性 气体 分布 装置 方法 | ||
1.一种气相反应器,被配置用于形成半导体器件,该气相反应器包括:
反应室;
衬底支承件,该衬底支承件设置在所述反应室内并且被配置成用于保持半导体衬底;
真空源,该真空源流体地耦合到所述反应室;以及
可变传导性气体分布系统,该可变传导性气体分布系统设置在所述衬底支承件上方,所述可变传导性气体分布系统包括:
气体入口;
耦合到所述气体入口的反应物气体源和清洗气体源;
具有一个或多个第一特征件的第一部件;
具有一个或多个第二特征件的第二部件;以及
相对于所述第二部件移动所述第一部件的机制,其中,所述第一部件的移动增大所述可变传导性气体分布系统的流体传导性;
其中,当所述气体分布系统打开时,气体在所述一个或多个第一特征件和所述一个或多个第二特征件之间流动,并且
当所述气体分布系统闭合时,在所述一个或多个第一特征件与所述一个或多个第二特征件之间形成密封结构。
2.根据权利要求1所述的气相反应器,其特征在于,所述一个或多个第一特征件是锥形的。
3.根据权利要求1所述的气相反应器,其特征在于,所述一个或多个第一特征件是截头锥体形的。
4.根据权利要求1所述的气相反应器,其特征在于,所述一个或多个第二特征件是锥形的。
5.根据权利要求1所述的气相反应器,其特征在于,所述一个或多个第二特征件是截头锥体形的。
6.根据权利要求1所述的气相反应器,其特征在于,所述一个或多个第一特征件中的至少一个和所述一个或多个第二特征件中的至少一个相对于彼此是同心的。
7.根据权利要求1-6中任意一项所述的气相反应器,其特征在于,所述第一部件和所述第二部件间隔开用于第一过程的第一距离以使清洗气体以第一传导性流过所述可变传导性气体分布系统,并且间隔开用于第二过程的第二距离以使一种或多种反应物以第二传导性流过所述可变传导性气体分布系统,所述第一传导性不同于所述第二传导性。
8.根据权利要求1-6中任意一项所述的气相反应器,其特征在于,所述机制在所述气体入口接收反应物气体之前将所述第一部件和所述第二部件移动到一起。
9.根据权利要求1-6中任意一项所述的气相反应器,其特征在于,所述机制在所述气体入口接收清洗气体之前将所述第一部件和所述第二部件移动分开。
10.根据权利要求1-6中任意一项所述的气相反应器,其特征在于,所述第一特征件与所述第二特征件中的一个或多个包括允许气体流过的孔。
11.根据权利要求1-6中任意一项所述的气相反应器,其特征在于,所述机制使所述第一部件移动0到10mm之间的距离。
12.根据权利要求1-6中任意一项所述的气相反应器,进一步包括耦合到所述一个或多个第一特征件的耦合元件。
13.根据权利要求1-6中任意一项所述的气相反应器,进一步包括耦合到所述一个或多个第二特征件的耦合元件。
14.根据权利要求1-6中任意一项所述的气相反应器,其特征在于,所述第一部件包括多个同心的第一特征件。
15.根据权利要求1-6中任意一项所述的气相反应器,其特征在于,所述第二部件包括多个同心的第二特征件。
16.一种气相反应器,包括:
可变传导性气体分布系统,该可变传导性气体分布系统设置在衬底支承件上方,所述可变传导性气体分布系统包括:
气体入口;
耦合到所述气体入口的反应物气体源和清洗气体源;
具有一个或多个第一特征件的第一部件;
具有一个或多个第二特征件的第二部件;以及
相对于所述第二部件移动所述第一部件的机制,其中,所述第一部件的移动增大所述可变传导性气体分布系统的流体传导性;
其中,当所述气体分布系统打开时,气体在所述一个或多个第一特征件和所述一个或多个第二特征件之间流动,并且
当所述气体分布系统闭合时,在所述一个或多个第一特征件与所述一个或多个第二特征件之间形成密封结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASMIP控股有限公司,未经ASMIP控股有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911250100.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种粉剂酱油的制备配方及其制备方法
- 下一篇:成像装置和处理盒
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





