[发明专利]一种修饰CsPbI3

权利要求书

1.一种修饰CsPbI₃量子点钙钛矿太阳能电池的方法，其特征在于，该方法为使用导电高分子聚合物作为修饰材料对钙钛矿太阳能电池的量子点钙钛矿层进行修饰的方法，具体修饰步骤如下：

（1）在导电高分子聚合物中加入有机溶剂，加热下搅拌，直至溶解；

（2）将步骤（1）中溶解的导电高分子聚合物，进行过滤，保留滤液待用；

（3）使用步骤（2）中的滤液制备CsPbI₃量子点钙钛矿层的导电高分子聚合物修饰层薄膜；

（4）将步骤（3）中制备得到的修饰层薄膜进行加热退火，之后冷却至室温，即得到导电高分子聚合物修饰层；

步骤（1）中，所述有机溶剂为氯仿、N-N二甲基甲酰胺、聚甲基吡咯烷酮，溶解于有机溶剂中的导电高分子聚合物的浓度为1 mmol/ml-100 mmol/ml；

步骤（3）中，制备CsPbI₃量子点钙钛矿层的导电高分子聚合物修饰层薄膜的方法为：先使CsPbI₃量子点钙钛矿层成膜，再将导电高分子聚合物溶液旋涂在CsPbI₃量子点钙钛矿膜层上；

或者，先使CsPbI₃量子点钙钛矿层成膜，再将CsPbI₃量子点钙钛矿层浸入导电高分子聚合物溶液中；

或者，将导电高分子聚合物溶液与CsPbI₃量子点钙钛矿溶液混合，再旋涂到基底上；

CsPbI₃量子点钙钛矿膜层上的导电高分子聚合物修饰层的厚度为1nm-100nm。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电高分子聚合物为聚乙炔、聚苯乙炔、聚苯撑乙炔、聚对苯撑、聚噻吩、聚苯胺。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（1）中，溶解导电高分子聚合物的温度为30℃-100℃。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

浸渍导电高分子聚合物溶液的时间为1s-720min；导电高分子聚合物溶液与量子点钙钛矿溶液混合旋涂的厚度为200nm-600nm；

旋涂导电高分子聚合物溶液或者导电高分子聚合物溶液与量子点钙钛矿混合溶液的速度为100-9000rpm/min，时间为5-300s。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（3）中,制备的环境为空气、惰性气体氛围中；惰性气体包括氮气、氩气。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（4）中，退火温度为25℃-350℃。

7. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（4）中，退火时间为2s-3600 s。