[发明专利]交流驱动的发光器件及其制备方法、发光装置有效
申请号: | 201911248487.4 | 申请日: | 2019-12-09 |
公开(公告)号: | CN112331783B | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 苏亮 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
主分类号: | H10K50/10 | 分类号: | H10K50/10;H10K50/11;H10K71/00;H10K101/40 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 侯武娇 |
地址: | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 交流 驱动 发光 器件 及其 制备 方法 装置 | ||
本发明涉及一种交流电驱动的发光器件及其制备方法、发光装置。其中,发光器件包括第一电极、第二电极、设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层、设置在所述第一电极和所述发光层之间的体异质结层,以及设置在所述第一电极和所述体异质结层之间的N型半导体层,所述N型半导体层与所述体异质结层直接接触且能够复合发光。该发光器件能够在整个交流电周期内发光,可交流电驱动,而且驱动电压低,亮度高。
技术领域
本发明涉及发光器件技术领域,特别是涉及一种交流驱动的发光器件及其制备方法、发光装置。
背景技术
以有机发光二极管(OLED)、量子点发光二极管(QLED)为代表的新型显示技术具有自发光、质量轻、可折叠、可柔性、对环境要求低等诸多液晶显示器(LCD)所不拥有的特性,一跃成为下一代的显示技术。同时,这些新型显示技术在对比度、色域、可视角等方面也比LCD更具优势。经过几十年的发展,OLED显示屏已走进高端消费市场,给人们带来更震撼的视觉体验;另一方面,QLED也逐渐步入商业化的轨道。
众所周知,市面上的发光二极管是直流驱动型器件,具有整流特性,其需要在稳定的直流信号源的驱动下才能正常工作,而实际生活用电通常是220V/50Hz的交流电,因此,在此环境下发光二极管无法正常工作。为了使发光二极管能够正常工作,其驱动系统中需要额外加装高性能的交流-直流转换装置,这不但增加了系统集成的复杂程度,而且交直流转换过程中的能量也会增加损失,不利于节能环保。因此,发展能够直接利用交流电的发光二极管显得更有意义。
目前,有技术通过在发光二极管的电极和电荷传输层之间设置厚度较厚的绝缘层,实现了发光二极管的交流驱动,但是,由于设置了厚度较厚的绝缘层,使得器件亮度很低、驱动电压很高。还有的发光二极管只能在交流电正半个周期内使器件发光,而负半个周期内器件不发光,如此实际上会造成电能的大量损失。
发明内容
基于此,有必要提供一种可交流电驱动的发光器件,不但亮度高、驱动电压低,还能够在整个交流电周期内发光。
一种交流驱动的发光器件,包括:第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和第二电极之间的发光结构;
其中,所述发光结构包括N型半导体层、发光层和设于所述N型半导体层和所述发光层之间的体异质结层,所述N型半导体层与所述体异质结层直接接触且能够复合发光。
体异质结层中包括N型半导体材料和P型半导体材料,N型半导体材料和P型半导体材料在整个体异质结层中是充分混合的。
在其中一个实施例中,所述体异质结层中的N半导体材料的LUMO(最低未占分子轨道)能级≥5eV,所述N型半导体层中的N型半导体材料的LUMO能级为2eV~4eV。
在其中一个实施例中,所述N型半导体层中的N型半导体材料选自PO-T2T(2,4,6-三[3-(二苯基膦氧基)苯基]-1,3,5-三唑)、TPBi(1,3,5-三(苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)、TmPyPb(3,3’-[5’-[3-(3-吡啶基)苯基][1,1’:3’1”-三联苯]-3,3”-二基]二吡啶)、Bphen(1,10-邻二氮杂菲)、B3PYMPM(4,6-双(3,5-二(3-吡啶)基苯基)-2-甲基嘧啶)和3TPYMB(三[2,4,6-三甲基-3-(3-吡啶基)苯基]硼烷)中的至少一种。
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