[发明专利]一种激光诱导击穿光谱绝对定量分析方法有效
申请号: | 201911244496.6 | 申请日: | 2019-12-06 |
公开(公告)号: | CN112924437B | 公开(公告)日: | 2023-02-21 |
发明(设计)人: | 赵栋烨;才来中;黄向玫;胡万鹏 | 申请(专利权)人: | 核工业西南物理研究院 |
主分类号: | G01N21/71 | 分类号: | G01N21/71;G01N1/28 |
代理公司: | 核工业专利中心 11007 | 代理人: | 高安娜 |
地址: | 610041 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 激光 诱导 击穿 光谱 绝对 定量分析 方法 | ||
1.一种激光诱导击穿光谱绝对定量分析方法,其特征在于,包括样品制备、实验测量和绝对定标三部分,其中,
样品制备包括如下步骤:
1)选择基体A1材料,并测量基体A1的粗糙度定为L1;
2)在基体A1上加工沉积膜A2,沉积膜A2的厚度为L2;
且沉积元素为被定量分析的元素,沉积层厚度L2小于基体A1的粗糙度L1;
3)在沉积膜A2上加工沉积膜A3;
且沉积膜A3与基体A1的元素相同,沉积膜A3的厚度大于基体A1的粗糙度;
实验测量包括如下步骤:
4)确定沉积膜A3的LIBS光谱;
5)使用脉冲激光烧蚀样品中的沉积膜A3,直到在LIBS光谱上观察到沉积层A2元素的光谱停止烧蚀,此时烧蚀深度为H1,所需烧蚀脉冲数为Ni;
6)使用脉冲激光继续烧蚀样品,直到沉积膜A2层元素的LIBS信号在LIBS光谱上消失为止,此时烧蚀深度为H2,所需的激光脉冲数为Nj;
7)验证步骤6)中的烧蚀深度H2减去步骤5)中的烧蚀深度H1数值,应为厚度L1;
绝对定标包括如下步骤:
8)计算基体A1中L1层中A2沉积层的有效折合沉积厚度L2e;
9)计算在L1层中,宽度为B2范围内基体A1与沉积膜A3的绝对原子总个数AtomsL1,A1+A3;
10)计算在L1层中,宽度为B2中沉积膜A2的绝对原子个数AtomsL1,A2;
11)确定Nj-Ni的脉冲范围内,沉积膜A3元素光谱信号的强度IL1,totalA1+A3,沉积膜A2元素光谱信号强度IL1,totalA2;
12)计算LIBS光谱上,基体A1元素转化因子FL1,A1+A3和沉积膜A2元素转换因子FL1,A2;
13)确定一个激光脉冲中沉积膜A2元素的绝对原子个数;
具体为
首先、计算基体A1中L1层中A2沉积层的有效折合沉积厚度L2e;
样品设计中沉积膜A2的厚度应为L2,但是由于基体A1为粗糙表面,因此有效的沉积膜A2在L1层中的沉积折合厚度应该大于设计厚度L2,有效沉积折合厚度定义为L2e,由公式(1)计算得到;
其中B2为烧蚀坑直径,B3为积分B2区域内,包含有粗糙度的线条长度;L2为设计的A2沉积层厚度;
之后、计算在L1层中,宽度为B2范围内基体A1与沉积膜A3的绝对原子总个数,定义为AtomsL1,A1+A3,由于沉积膜A3与基体A1元素相同,绝对原子总个数由公式(2)计算得到;
其中,ρA1+A3为基体材料的密度,mA1+A3为基体材料的绝对原子质量;
之后、计算在L1层中,宽度为B2中沉积膜A2的绝对原子个数,定义为AtomsL1,A2,由公式(3)计算得到;
其中ρA2为A2材料的密度,mA2材料的绝对原子质量;
根据第(6)步骤与第(5)步骤获得激光脉冲个数,确定在Nj-Ni的脉冲范围内,沉积膜A3元素光谱信号的强度IL1,totalA1+A3,沉积膜A2元素光谱信号强度IL,totalA2;
沉积膜A3元素光谱信号的强度IL1,totalA1+A3是碳光谱信号强度;
沉积膜A2元素光谱信号强度IL1,totalA2是钼光谱信号强度;
之后、计算LIBS光谱上单位强度对应的原子个数,即转化因子,基体A1元素转化因子定义为FL1,A1+A3,沉积膜A2元素转换因子定义为FL1,A2,由公式(4),(5)得到;
最后、确定一个激光脉冲中沉积膜A2元素的绝对原子个数;
得到这一转换因子就可以对未知样品中包含有A2的绝对原子个数进行定量分析,在某一个LIBS光谱信号观察到的沉积膜A2元素的信号强度为Itarget,A2,则这一个激光脉冲中沉积膜A2元素的绝对原子个数,由公式(6)得到;
Atomstarget,A2=Itarget,A2·FL1,A2 (6)。
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