[发明专利]一种环烯烃共聚物微透镜阵列的制备方法

权利要求书

1.一种环烯烃共聚物微透镜阵列的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：

在基底表面形成带有微透镜阵列图形的光刻胶掩膜；

在带有所述光刻胶掩模的基底上刻蚀出微孔阵列；

清洗刻蚀有微孔阵列的基底，并对所述基底表面进行钝化保护处理；

在所述基底的微孔阵列的结构面蒸镀金属；

在所述基底的微孔阵列上铺设环烯烃共聚物层，并进行热压处理，冷却后将所述微孔阵列和所述环烯烃共聚物层分离，得到带有金属光阑的环烯烃共聚物微透镜阵列，所述环烯烃共聚物层为COC、PC、PMMA或COP；

其中，所述环烯烃共聚物层包括环烯烃共聚物凸起阵列，所述微孔阵列包括金属覆盖层，所述环烯烃共聚物凸起阵列和所述金属覆盖层交替排布，所述环烯烃共聚物凸起阵列作为微透镜阵列，所述金属覆盖层作为光阑。

2.如权利要求1所述的环烯烃共聚物微透镜阵列的制备方法，其特征在于，在基底表面形成带有微透镜阵列图形的光刻胶掩膜的步骤中，具体为：

采用光刻法利用掩膜版在所述基底表面形成带有微透镜阵列图形的光刻胶掩膜，所述基底为硅片。

3.如权利要求1所述的环烯烃共聚物微透镜阵列的制备方法，其特征在于，在带有所述光刻胶掩模的基底上刻蚀出微孔阵列的步骤中，具体为：

采用刻蚀法在带有所述光刻胶掩模的基底上刻蚀出微孔阵列。

4.如权利要求3所述的环烯烃共聚物微透镜阵列的制备方法，其特征在于，在完成带有所述光刻胶掩模的基底上刻蚀出微孔阵列的步骤后进行下一步前，还包括下述步骤：

将刻蚀有所述微孔阵列的基底放入丙酮液中，溶解去除光刻胶掩膜。

5.如权利要求1所述的环烯烃共聚物微透镜阵列的制备方法，其特征在于，在清洗刻蚀有微孔阵列的基底，并对所述基底表面进行钝化保护处理的步骤中，具体为：

清洗刻蚀有微孔阵列的基底，对所述基底表面用C₄F₈进行钝化保护处理。

6.如权利要求1所述的环烯烃共聚物微透镜阵列的制备方法，其特征在于，在所述基底的微孔阵列的结构面蒸镀金属的步骤中，具体为：

采用蒸发镀膜工艺在所述基底的微孔阵列的结构面蒸镀金属，所述金属为铬粉或铝条。

7.如权利要求1所述的环烯烃共聚物微透镜阵列的制备方法，其特征在于，所述热压处理的温度为135℃-145℃，压强范围25kPa-50kPa。

8.如权利要求1所述的环烯烃共聚物微透镜阵列的制备方法，其特征在于，所述环烯烃共聚物凸起阵列的高度为25μm-40μm，所述金属覆盖层的厚度为百纳米量级。

9.如权利要求1所述的环烯烃共聚物微透镜阵列的制备方法，其特征在于，所述微孔阵列的直径与所述微透镜阵列的图形直径相同。