[发明专利]一种ZnMgGaO四元合金薄膜的制备方法及ZnMgGaO四元合金薄膜

权利要求书

1.一种ZnMgGaO四元合金薄膜的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：

将衬底放入生长腔内，以有机锌化合物作为锌源，有机镁化合物作为镁源，有机镓化合物作为镓源，以高纯氧气为氧源，于高温条件下生长ZnMgGaO四元合金薄膜。

2.如权利要求1所述的ZnMgGaO四元合金薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底。

3.如权利要求1所述的ZnMgGaO四元合金薄膜的制备方法，其特征在于，所述有机锌化合物为二乙基锌和/或二甲基锌，有机镁化合物为对甲基二茂镁，所述有机镓化合物为三甲基镓和/或三乙基镓。

4.如权利要求3所述的ZnMgGaO四元合金薄膜的制备方法，其特征在于，所述有机锌化合物以高纯氮气为载气，所述载气流速为5-20sccm；所述有机镁化合物以高纯氮气为载气，所述载气流速为10-40sccm；所述有机镓化合物以高纯氮气为载气，所述载气流速为10-40sccm；所述氧气流速为80-120sccm。

5.如权利要求1所述的ZnMgGaO四元合金薄膜的制备方法，其特征在于，所述高温条件为500-800℃。

6.如权利要求1所述的ZnMgGaO四元合金薄膜的制备方法，其特征在于，所述生长的时间为1h-3h；所述生长的真空度为2x10²-1x10⁴Pa。

7.如权利要求1所述的ZnMgGaO四元合金薄膜的制备方法，其特征在于，将所述衬底放入腔体中之前还包括对所述衬底进行清洗的步骤。

8.如权利要求7所述的ZnMgGaO四元合金薄膜的制备方法，其特征在于，将所述衬底放入腔体中之后对所述衬底高温处理之前，还包括对生长腔抽真空处理的步骤。

9.如权利要求1所述的ZnMgGaO四元合金薄膜的制备方法，其特征在于，利用金属有机物化学气相沉积设备生长ZnMgGaO四元合金薄膜，生长结束后，降低所述衬底温度到室温，得到ZnMgGaO四元合金薄膜；所述降温的速率为0.2-0.8℃/s。

10.一种ZnMgGaO四元合金薄膜，其特征在于，由所述权利要求1-9任一项所述的ZnMgGaO四元合金薄膜制备方法制备得到。