[发明专利]一种单晶元四场接收器及其生产工艺在审
申请号: | 201911237561.2 | 申请日: | 2019-12-06 |
公开(公告)号: | CN110793554A | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 广东光栅数显技术有限公司 |
主分类号: | G01D5/26 | 分类号: | G01D5/26;G03F7/00 |
代理公司: | 44473 广东腾锐律师事务所 | 代理人: | 莫锡斌 |
地址: | 523000 广东省东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅光 晶片 灌封胶 光刻栅 列排列 一次性成型 检测位移 组装工艺 接收器 防尘 方框形 信号源 产能 单晶 防震 覆盖 填充 防水 生产 | ||
1.一种单晶元四场接收器,其特征在于:包括底PCB板、表PCB板、硅光晶片和灌封胶,底PCB板上安装表PCB板、硅光晶片,表PCB板为方框形,硅光晶片位于表PCB板内,表PCB板内填充灌封胶,灌封胶覆盖硅光晶片,硅光晶片中部设有4个呈2行2列排列的光刻栅片。
2.根据权利要求1所述的一种单晶元四场接收器,其特征在于:上行与下行光刻栅片的行距为300μm,左列与右列光刻栅片的列距为315μm。
3.根据权利要求1所述的一种单晶元四场接收器,其特征在于:所述表PCB板外侧到PCB板外侧的距离为1.2mm。
4.根据权利要求1所述的一种单晶元四场接收器,其特征在于:所述光刻栅片的长度为2mm、宽度为0.95mm。
5.一种单晶元四场接收器生产工艺,其特征在于:包括以下步骤,
①选材,选取尺寸大小合适的硅光晶片,硅光晶片表面涂覆有光刻胶;
②曝光,将预制在掩模版上的与光刻栅片相配的图形初步转印到光刻胶上;
③显影,溶解光刻胶中非曝光部分的图形使光刻栅片图形初步显示出来;
④定影,按步骤③显影出的图形一次性定型出呈2行2列排列的光刻栅片,上行与下行光刻栅片的行距为300μm,左列与右列光刻栅片的列距为315μm。
6.根据权利要求5所述的一种单晶元四场接收器生产工艺,其特征在于:在完成定影后,对硅光晶片进行精度测量若发现有缺陷则修补后再清洗;若无缺陷则直接清洗,之后将硅光晶片、表PCB板贴装到底PCB板上,表PCB板内填充灌封胶,灌封胶覆盖硅光晶片。
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