[发明专利]一种预判晶圆校准值的方法和存储介质

说明书

本发明公开了一种预判晶圆校准值的方法和存储介质，所述方法包括：设置晶圆校准图；获取晶圆扫描图，将所述晶圆扫描图和所述晶圆校准图进行比对，并输出比对结果；所述比对结果包括所述晶圆扫描图和所述晶圆校准图之间的校准值。当晶圆扫描图的位置调整时，其相较于晶圆校准图的校准值也相应调整，使得校准过程更加直观，有利于提高校准精度。

技术领域

本发明涉及晶圆校准领域，特别涉及一种预判晶圆校准值的方法和存储介质。

背景技术

在半导体制造行业，曝光设备是制程过程中的关键设备，该设备的光学物理极限、机械精度、设备稳定性都将直接影响到产品的特性。由于曝光设备存在一定的惯性，因而在曝光时往往容易出现对准偏差，导致上下叠层错位。为解决这一问题，通常的做法是根据上下层各测量点的偏差值分别在X和Y方向上取平均值，之后根据两个平均偏移值实现对晶圆或者掩膜的提前定量定向移动，并以此来克服设备惯性问题。现有的做法存在以下问题：(1)测量值数据只是最终在X方向和Y方向上的两个平均值，无法直观的体现晶片上各点测量值的变化趋势；(2)采用测量数据求平均值做为机台提前动作的指令值，无法兼顾局部的良率。

发明内容

为此，需要提供一种预判晶圆校准值的技术方案，用于解决现有的晶圆校准方法无法直观体现晶圆上各测量值的变化趋势的技术问题。

为实现上述目的，发明人提供了一种预判晶圆校准值的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤:

设置晶圆校准图；

获取晶圆扫描图，将所述晶圆扫描图和所述晶圆校准图进行比对，并输出比对结果；所述比对结果包括所述晶圆扫描图和所述晶圆校准图之间的校准值。

作为一种可选的实施例，所述晶圆校准图包括多个校准单元格，所述晶圆扫描图包括多个晶圆单元格，所述方法包括以下步骤:

将各晶圆单元格上的坐标位置与各校准单元格进行比对，并输出比对结果。

作为一种可选的实施例，所述校准单元格包括第一校准线和第二校准线，所述晶圆单元格包括横轴线和纵轴线，所述方法包括以下步骤：

将各晶圆单元格的横轴线位置与所述第一校准线进行比对，记录第一偏移值；以及将将各晶圆单元格的纵轴线位置与所述第二校准线进行比对，记录第二偏移值。

作为一种可选的实施例，所述方法包括：

当晶圆单元格的横轴线位置位于所述第一校准线的左侧时，判定该晶圆单元格横轴负偏移，并记录横轴负向偏移值；

当判定晶圆单元格的横轴线位置位于所述第一校准线的右侧时，判定该晶圆单元格横轴正偏移，并记录横轴正向偏移值；

或者，当晶圆单元格的纵轴线位置位于所述第二校准线的上侧时，判定该晶圆单元格纵轴正偏移，并记录纵轴正向偏移值；

当判定晶圆单元格的纵轴线位置位于所述第二校准线的下侧时，判定该晶圆单元格纵轴负偏移，并记录纵轴纵向偏移值。

作为一种可选的实施例，所述方法包括：

根据位置调整参数对所述晶圆扫描图的相对于所述晶圆校准图的位置进行调整。

发明人还提供了一种存储介质，所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如前文所述的方法步骤。

区别于现有技术，上述技术方案所述的预判晶圆校准值的方法和存储介质，所述方法包括：设置晶圆校准图；获取晶圆扫描图，将所述晶圆扫描图和所述晶圆校准图进行比对，并输出比对结果；所述比对结果包括所述晶圆扫描图和所述晶圆校准图之间的校准值。当晶圆扫描图的位置调整时，其相较于晶圆校准图的校准值也相应调整，使得校准过程更加直观，有利于提高校准精度。

附图说明