[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上形成有栅极结构；

在所述栅极结构两侧的所述基底内形成轻掺杂区；

所述形成轻掺杂区后，利用光刻工艺形成第一掩膜层，所述第一掩膜层覆盖所述栅极结构、以及所述栅极结构两侧的部分的所述轻掺杂区，所述第一掩膜层全面覆盖所述栅极结构的顶部和侧壁，并与所述栅极结构的侧壁相接触；

以所述第一掩膜层为掩膜，在所述栅极结构两侧的所述基底内形成源漏掺杂区；

形成所述源漏掺杂区之后，去除所述第一掩膜层；

形成所述源漏掺杂区之后，还包括：在所述基底表面形成硅化物阻挡层；在所述基底上形成覆盖所述硅化物阻挡层的第二掩膜层，所述第二掩膜层内形成有掩膜开口，所述掩膜开口贯穿所述源漏掺杂区上方的所述第二掩膜层，且所述掩膜开口在所述基底上的投影位于所述源漏掺杂区内；去除所述掩膜开口露出的所述硅化物阻挡层；去除所述掩膜开口露出的所述硅化物阻挡层之后，去除所述第二掩膜层；去除所述第二掩膜层之后，在剩余的所述硅化物阻挡层露出的所述源漏掺杂区表面形成金属硅化物层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一掩膜层的步骤包括：形成覆盖所述栅极结构和基底的掩膜材料层；

利用光刻工艺，对所述掩膜材料层进行图形化，使剩余的掩膜材料层覆盖所述栅极结构、以及所述栅极结构两侧的部分的所述轻掺杂区，且将剩余的所述掩膜材料层作为第一掩膜层。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料为有机材料。

4.如权利要求1或3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，利用离子注入工艺，在所述栅极结构两侧的所述基底内形成源漏掺杂区。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括栅极层以及覆盖所述栅极层的侧壁的偏移侧墙；

在所述栅极结构两侧的所述基底内形成轻掺杂区的步骤中，以所述偏移侧墙作为掩膜。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成覆盖所述硅化物阻挡层的第二掩膜层的步骤中，在平行于所述基底表面的方向上，所述源漏掺杂区中被所述第二掩膜层覆盖的区域的宽度至少为0.15微米。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜层的材料为有机材料。

8.如权利要求3或7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述有机材料包括光刻胶。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成金属硅化物层之后，还包括：在所述基底上形成覆盖所述金属硅化物层的介质层；

在所述介质层中形成露出所述金属硅化物层的接触孔；

在所述接触孔中形成接触孔插塞。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，平行于所述基底表面且与所述栅极结构的延伸方向相垂直的方向为横向；

形成所述第一掩膜层的步骤中，在所述栅极结构的任一侧，位于所述栅极结构侧壁的所述第一掩膜层的横向宽度大于所述栅极结构的高度。