[发明专利]存储装置及其操作方法在审

专利信息
申请号: 201911234856.4 申请日: 2019-12-05
公开(公告)号: CN112306734A 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: 吴永灿 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10;G11C29/44
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 崔卿虎
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储 装置 及其 操作方法
【说明书】:

本文描述了存储装置及其操作方法。一种存储装置检测ROM数据的错误并纠正错误。存储装置包括存储器装置和用于控制存储器装置的存储器控制器。存储器装置包括:多个平面,每个平面存储只读存储器(ROM)数据;以及ROM数据控制器,被配置为基于来自所有平面的ROM数据是否相同来控制多个平面。存储器控制器包括操作状态确定器,操作状态确定器被配置为根据存储器装置的操作状态,向ROM数据控制器输出用于读取多个平面中分别存储的ROM数据的ROM数据输出命令。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年7月30日提交的韩国专利申请号10-2019-0092322的优先权,其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开一般地涉及电子装置,并且更具体地涉及存储装置及其操作方法。

背景技术

存储装置被配置为在诸如计算机、智能电话或智能平板的主机装置的控制下存储数据。存储装置可以是将数据存储在磁盘上的类型(诸如硬盘驱动器(HDD)),或者是将数据存储在半导体存储器(即,非易失性存储器)上的类型(诸如固态驱动器(SSD)或存储器卡)。

存储装置可以包括被配置为存储数据的存储器装置和被配置为控制存储器装置的存储器控制器。存储器装置可以是易失性存储器装置或非易失性存储器装置。非易失性存储器装置的示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。

发明内容

实施例提供了能够检测只读存储器(ROM)数据的错误并纠正错误的存储装置以及存储装置的操作方法。

根据本公开的一个方面,提供了一种存储装置,包括:存储器装置,包括:多个平面,每个平面存储只读存储器(ROM)数据;以及ROM数据控制器,其被配置为基于来自所有平面的ROM数据是否相同来控制多个平面;以及存储器控制器,用于控制存储器装置,其中存储器控制器包括操作状态确定器,操作状态确定器被配置为根据存储器装置的操作状态,向ROM数据控制器输出用于读取多个平面中分别存储的ROM数据的ROM数据输出命令。

根据本公开的另一方面,提供了一种存储装置,包括:存储器装置,包括:多个平面;ROM,其被配置为存储包括分别用于编程操作、读取操作和擦除操作的代码的ROM数据并且输出代码;以及ROM数据控制器,其被配置为基于通过确定多个平面中分别存储的ROM数据和ROM中存储的ROM数据是否相同而获得的结果来控制多个平面;以及存储器控制器,用于控制存储器装置并包括操作状态确定器,操作状态确定器被配置为根据存储器装置的操作状态,输出用于读取多个平面和ROM中分别存储的ROM数据的ROM数据输出命令。

根据本公开的又一方面,提供了一种存储装置,包括:多个存储器装置,各自包括存储器块,存储器块被配置为存储只读存储器(ROM)数据,只读存储器(ROM)数据包括待被解码以分别执行编程操作、读取操作和擦除操作的代码;以及存储器控制器,用于控制多个存储器装置,并且包括:缓冲存储器,其被配置为存储与多个存储器装置中分别存储的ROM数据初始相同的ROM数据;操作状态确定器,其被配置为基于多个存储器装置中的每一个的操作状态来输出用于读取多个存储器装置中分别存储的ROM数据的ROM数据输出命令和用于输出缓冲存储器中存储的ROM数据的ROM数据输出请求;以及芯片终止控制器,其被配置为根据响应于ROM数据输出命令而从多个存储器装置接收的ROM数据和响应于ROM数据输出请求而从缓冲存储器接收的ROM数据是否相同以及多个存储器装置的剩余寿命来输出芯片终止命令或ROM数据传输请求。

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