[发明专利]一种基于多频段耦合误差收敛的高收敛比离子束加工方法有效
| 申请号: | 201911234203.6 | 申请日: | 2019-12-05 |
| 公开(公告)号: | CN110955943B | 公开(公告)日: | 2022-10-25 |
| 发明(设计)人: | 田野;戴一帆;石峰;宋辞 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号: | G06F30/17 | 分类号: | G06F30/17;C03C23/00 |
| 代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 谭武艺 |
| 地址: | 410073 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 频段 耦合 误差 收敛 离子束 加工 方法 | ||
1.一种基于多频段耦合误差收敛的高收敛比离子束加工方法,其特征在于实施步骤包括:
1)初始化迭代次数i为0,测量工件第i+1次离子束修形加工前的空间域高度误差RMSi;
2)根据第i+1次离子束修形加工前的空间域高度误差RMSi生成去除函数Ri(x,y);
3)根据第i+1次离子束修形加工前的空间域高度误差RMSi进行功率谱密度分析获取第i+1次离子束修形加工前的低频误差比例Ki;
4)选择性根据第i+1次离子束修形加工前的低频误差比例Ki调整去除函数Ri(x,y)的束径大小,得到最终的去除函数Ri(x,y);
5)采用最终的去除函数Ri(x,y)进行第i+1次离子束修形加工,并记录加工时间ti+1;
6)测量工件第i+1次离子束修形加工后的空间域高度误差RMSi+1;
7)判断工件是否满足精度要求,如果满足精度要求则结束并退出;否则根据第i+1次离子束修形加工前的空间域高度误差RMSi、第i+1次离子束修形加工后的空间域高度误差RMSi+1计算第i+1次离子束修形加工的加工面形误差收敛率Vi+1;
8)判断第i+1次离子束修形加工的加工面形误差收敛率Vi+1是否满足要求,如果满足要求则将迭代次数i加1并跳转执行步骤5);否则,将迭代次数i加1并跳转执行步骤2)。
2.根据权利要求1所述的基于多频段耦合误差收敛的高收敛比离子束加工方法,其特征在于,步骤3)的详细步骤包括:
3.1)获取步骤2)中根据第i+1次离子束修形加工前的空间域高度误差RMSi所生成去除函数Ri(x,y)的去除函数束径d6σi;
3.2)根据去除函数束径d6σi计算第i+1次离子束修形加工前的修形截止频率fci;
3.3)测量低于第i+1次离子束修形加工前的修形截止频率fci的空间域高度误差得到第i+1次离子束修形加工前的空间域高度误差RMSLi;
3.4)根据第i+1次离子束修形加工前的空间域高度误差RMSLi计算第i+1次离子束修形加工前的低频误差比例Ki。
3.根据权利要求2所述的基于多频段耦合误差收敛的高收敛比离子束加工方法,其特征在于,步骤3.2)中计算第i+1次离子束修形加工前的修形截止频率fci的函数表达式如下式所示:
上式中,d6σi为第i+1次离子束修形加工前的空间域高度误差RMSi所生成去除函数的去除函数束径。
4.根据权利要求2所述的基于多频段耦合误差收敛的高收敛比离子束加工方法,其特征在于,步骤3.4)中计算第i+1次离子束修形加工前的低频误差比例Ki的函数表达式如下式所示:
上式中,RMSLi为第i+1次离子束修形加工前的空间域高度误差,RMSi为第i+1次离子束修形加工前的空间域高度误差。
5.根据权利要求1所述的基于多频段耦合误差收敛的高收敛比离子束加工方法,其特征在于,步骤4)的详细步骤包括:判断第i+1次离子束修形加工前的低频误差比例Ki小于预设阈值是否成立,如果成立则采用束径更小的去除函数Ri(x,y),否则保持当前的去除函数Ri(x,y)的束径大小不变。
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