[发明专利]基于光热弱吸收测试评价单晶硅强光元件综合性能方法

权利要求书

1.一种基于光热弱吸收测试评价单晶硅强光元件综合性能方法，其特征在于实施步骤包括：

1）根据待测区域尺寸及形状对测试区域进行划分；

2）利用光热弱吸收测试平台对不同区域进行光热弱吸收测试；

3）针对得到的多个弱吸收信号，剔除粗大误差后，记录不同区域内的弱吸收信号的电流幅值A_i，并计算所有电流幅值A的平均值δ和方差σ²，其中i=1,2,3…n；

4）记录疵病所致吸收强区电流幅值，并生成疵病所致吸收强区分布图；

5）将所有弱吸收信号的电流幅值A的平均值δ和方差σ²、不同区域内的弱吸收信号的电流幅值A_i、疵病所致吸收强区分布图作为单晶硅强光元件综合性能评价结果输出；

步骤1）的详细步骤包括：

1.1）将测试样件竖直置于光热弱吸收测试平台的承载夹具上，调整测试样件姿态使得测试样件的待测反射面与承载夹具的基准面平行度误差p满足要求；

1.2）调整光热弱吸收测试平台的内部光路系统，使得返回信号强度S满足要求；

1.3）调整光热弱吸收测试平台的运动平台至测试样件的目标观测区域，并设置测试步距a与测试范围Z；

1.4）根据测试步距a与测试范围Z对测试样件的目标观测区域进行测量并记录反射光信号强度作为测试得到的弱吸收信号。

2.根据权利要求1所述的基于光热弱吸收测试评价单晶硅强光元件综合性能方法，其特征在于，步骤1.1）中基准面平行度误差p满足要求具体是指满足0≤p≤100μm。

3.根据权利要求1所述的基于光热弱吸收测试评价单晶硅强光元件综合性能方法，其特征在于，步骤1.2）中返回信号强度S满足要求具体是指满足S 10nA。

4.根据权利要求1所述的基于光热弱吸收测试评价单晶硅强光元件综合性能方法，其特征在于，步骤1.3）中设置测试步距a与测试范围Z时，测试范围Z覆盖面积不小于测试样件反射面面积的10%，且测试范围Z内的测试区域数不小于4个，需有大于50%的测试面积位于反射面中心0.5A×0.5B面积区域内，其中当反射面为矩形时A为长度B为宽度，当反射面为椭圆形时A为长轴B为短轴。

5.根据权利要求1所述的基于光热弱吸收测试评价单晶硅强光元件综合性能方法，其特征在于，步骤4）生成的疵病所致吸收强区分布图包括划痕、麻点的所致吸收强区分布图。