[发明专利]一种甘薯茎尖脱毒与育种方法在审

专利信息
申请号: 201911234057.7 申请日: 2019-12-05
公开(公告)号: CN110810247A 公开(公告)日: 2020-02-21
发明(设计)人: 王立国 申请(专利权)人: 天津丰华裕隆农业发展股份有限公司
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 天津市新天方专利代理有限责任公司 12104 代理人: 刘畅
地址: 301800 天津市宝坻*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 甘薯 脱毒 育种 方法
【说明书】:

发明是一种甘薯茎尖脱毒与育种方法,包括如下具体步骤:首先将无霉变病变的薯块培养至发芽,然后切取茎尖分生组织使用双氧水消毒后放入预培养基上进行培养,然后将茎尖分生组织冲洗后放入防污染培养基培养后制得脱毒苗,将脱毒苗接种到增殖培养基中培养后筛选出无毒植株进行大棚培育。本发明通过加入吲哚‑3‑乙酸,提高了茎尖形成愈伤组织的能力,幼苗生长快;同时本发明将茎尖分生组织放入防污染培养基中进行培养,能够避免甘薯脱毒组织培养中脱毒效率低和切断快繁时高污染率的问题,有效提高了脱毒效率。

技术领域

本发明涉及甘薯茎尖脱毒技术领域,尤其涉及一种甘薯茎尖脱毒与育种方法。

背景技术

甘薯又名红薯、地瓜等,为旋花科薯蓣属植物。甘薯种植广泛,是全球性的重要粮食作物,也是轻工业和饲料的重要原料。甘薯富含可溶性糖、维生素C和食用纤维等各种营养物质,具有降低胆固醇、防治心脑血管疾病等保健功能。因此,被世界卫生组织列为13种最佳蔬菜之首。

甘薯主要通过扦插枝条进行种植,多种病毒可通过昆虫和汁液传播,复合侵染率很高,马铃薯Y病毒属的甘薯羽状斑驳病毒、甘薯G病毒、甘薯C病毒等在田间多为复合侵染。较为常见的脱毒方法就是将茎尖培养或是嫩梢嫁接与热处理、低温处理以及化学处理相结合的方式,然而这些方法存在操作困难,脱毒效率低等劣势。

发明内容

本发明旨在解决现有技术的不足,而提供一种甘薯茎尖脱毒与育种方法。

本发明为实现上述目的,采用以下技术方案:

一种甘薯茎尖脱毒与育种方法,包括如下具体步骤:

(1)甘薯茎尖的取用

在新鲜的甘薯中,选择无霉变病变的薯块,使用病毒唑溶液浸泡后放入34℃培养箱中培养,当芽长到3.5~5cm时,切取下1~2mm长的茎尖分生组织,用自来水冲洗10~20min后待用;

(2)茎尖的消毒与基础培养

将茎尖分生组织放入浓度为5%~15%的双氧水浸泡2~4min,在紫外灯下消菌2~3min后用无菌水冲洗4~5次,将茎尖分生组织接种到预培养基上进行培养1~2天;

(3)茎尖的脱毒处理

将步骤(2)预培养后的茎尖分生组织用无菌水冲洗后,室温下放入防污染培养基培养30~60min制得脱毒苗;

(4)脱毒苗的培育

将脱毒苗接种到6-BA 0.5mg/L,NAA 0.1mg/L的增殖培养基中进行培育,每个增殖培养基放5~8个芽苗,培养20天后釆取目测法淘汰弱苗和显症苗,再进行病毒检测,选出不带病毒的植株,将其清洗后放入大棚中种植。

特别的,步骤(1)中培养箱培养时用复配抗病毒剂进行定时喷雾,每两天喷一次,培养时间为7~10天。

特别的,复配抗病毒剂采用三氮唑与吗啉胍复配。

特别的,步骤(2)中培养条件为:16小时光照,光照强度30~40μmol/(m2·s),温度为27±1℃;8小时暗培养,温度为21±1℃;上述光照和暗培养交替进行;培养时间为1~2天。

特别的,步骤(2)中预培养基是由10份硝酸钾、25份硝酸铵、5份硫酸镁、3份氯化钙、0.01份碘化钾、0.02份硫酸铜、0.4份乙二胺四乙酸二钠、0.02份氯化钴、0.2份硫酸亚铁、0.2~0.4份吲哚-3-乙酸配制而成。

特别的,步骤(3)中防污染培养基是由MS、植培灵1.0ml/L、蔗糖30g/L、琼脂7.0g/L、病毒唑0.08mg/L、NAA 0.12mg/L以及琼脂9g/L配制而成,pH为5.6~6。

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