[发明专利]一种数字电流源的软启动方法有效

专利信息
申请号: 201911233752.1 申请日: 2019-12-05
公开(公告)号: CN110739842B 公开(公告)日: 2021-11-23
发明(设计)人: 赵晓明 申请(专利权)人: 苏州易德龙科技股份有限公司
主分类号: H02M1/36 分类号: H02M1/36
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 范晴
地址: 215200 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 数字 电流 启动 方法
【权利要求书】:

1.一种数字电流源的软启动方法,其特征在于,包括:

S1、设置数字电流源参数,包括:最大占空比限制、软启动占空比初始值以及根据负载的特性分别设置的软启动第一、第二、第三阶段各自的电流阈值、占空比上升周期、占空比上升步进值;

S2、在数字电流源输出开启瞬间,功率MOS以软启动占空比初始值开启PWM;

S3、当数字电流源实际输出电流小于等于软启动第一阶段电流阈值时,根据设置的软启动第一阶段占空比上升周期值N1,以及软启动第一阶段占空比上升步进值S1,数字电流源每N1个微秒,使功率MOS的最大占空比增加S1;

S4、当数字电流源实际输出电流大于软启动第一阶段电流阈值,且小于等于软启动第二阶段电流阈值时,根据设置的软启动第二阶段占空比上升周期值N2,以及软启动第二阶段占空比上升步进值S2,数字电流源每N2个微秒,使功率MOS的最大占空比增加S2;

S5、当实际输出电流大于软启动第二阶段电流阈值,且小于等于软启动第三阶段电流阈值时,根据设置的软启动第三阶段占空比上升周期值N3,以及软启动第三阶段占空比上升步进值S3,数字电流源每N3个微秒,使功率MOS的最大占空比增加S3;

S6、当实际输出电流大于软启动第三阶段电流阈值时,数字电流源将功率MOS的最大占空比设置为步骤S1中设置的最大占空比限制参数数值;

步骤S1中不同的电流区间,设置不同的软启动参数,实现不同的电流限制,最终使实际输出电流平稳线性的上升;

(a)数字电流源输出开启瞬间,功率MOS的最大占空比为5%;

(b)当实际输出电流小于等于7安培时,功率MOS的最大占空比,每5微秒增加2%;

(c)当实际输出电流大于7安培且小于等于12安培时,功率MOS的最大占空比,每4微秒增加3%;

(d)当实际输出电流大于12安培且小于等于18安培时,功率MOS的最大占空比,每3微秒增加5%;

(e)当实际输出电流大于18安培时,功率MOS的最大占空比为80%;

(f)至此,数字电流源完成软启动,达到稳定的电流输出。

2.根据权利要求1所述的数字电流源的软启动方法,其特征在于,步骤S1参数设置完毕后,数字电流源将设置的参数存储于EEPROM,若负载特性不变,则无需再设置软启动参数。

3.根据权利要求1或2所述的数字电流源的软启动方法,其特征在于,所述数字电流源参数通过上位机设置。

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