[发明专利]一种数字电流源的软启动方法有效
申请号: | 201911233752.1 | 申请日: | 2019-12-05 |
公开(公告)号: | CN110739842B | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | 赵晓明 | 申请(专利权)人: | 苏州易德龙科技股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/36 | 分类号: | H02M1/36 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 范晴 |
地址: | 215200 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 数字 电流 启动 方法 | ||
1.一种数字电流源的软启动方法,其特征在于,包括:
S1、设置数字电流源参数,包括:最大占空比限制、软启动占空比初始值以及根据负载的特性分别设置的软启动第一、第二、第三阶段各自的电流阈值、占空比上升周期、占空比上升步进值;
S2、在数字电流源输出开启瞬间,功率MOS以软启动占空比初始值开启PWM;
S3、当数字电流源实际输出电流小于等于软启动第一阶段电流阈值时,根据设置的软启动第一阶段占空比上升周期值N1,以及软启动第一阶段占空比上升步进值S1,数字电流源每N1个微秒,使功率MOS的最大占空比增加S1;
S4、当数字电流源实际输出电流大于软启动第一阶段电流阈值,且小于等于软启动第二阶段电流阈值时,根据设置的软启动第二阶段占空比上升周期值N2,以及软启动第二阶段占空比上升步进值S2,数字电流源每N2个微秒,使功率MOS的最大占空比增加S2;
S5、当实际输出电流大于软启动第二阶段电流阈值,且小于等于软启动第三阶段电流阈值时,根据设置的软启动第三阶段占空比上升周期值N3,以及软启动第三阶段占空比上升步进值S3,数字电流源每N3个微秒,使功率MOS的最大占空比增加S3;
S6、当实际输出电流大于软启动第三阶段电流阈值时,数字电流源将功率MOS的最大占空比设置为步骤S1中设置的最大占空比限制参数数值;
步骤S1中不同的电流区间,设置不同的软启动参数,实现不同的电流限制,最终使实际输出电流平稳线性的上升;
(a)数字电流源输出开启瞬间,功率MOS的最大占空比为5%;
(b)当实际输出电流小于等于7安培时,功率MOS的最大占空比,每5微秒增加2%;
(c)当实际输出电流大于7安培且小于等于12安培时,功率MOS的最大占空比,每4微秒增加3%;
(d)当实际输出电流大于12安培且小于等于18安培时,功率MOS的最大占空比,每3微秒增加5%;
(e)当实际输出电流大于18安培时,功率MOS的最大占空比为80%;
(f)至此,数字电流源完成软启动,达到稳定的电流输出。
2.根据权利要求1所述的数字电流源的软启动方法,其特征在于,步骤S1参数设置完毕后,数字电流源将设置的参数存储于EEPROM,若负载特性不变,则无需再设置软启动参数。
3.根据权利要求1或2所述的数字电流源的软启动方法,其特征在于,所述数字电流源参数通过上位机设置。
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