[发明专利]半导体封装、用于半导体封装的金属板以及用于制造半导体封装的方法在审
申请号: | 201911233237.3 | 申请日: | 2019-12-05 |
公开(公告)号: | CN111276449A | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | T·施特克;M·施塔德勒 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L21/56;H01L23/14;H01L23/04 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 郭毅 |
地址: | 德国瑙伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 用于 金属板 以及 制造 方法 | ||
1.一种半导体封装,所述半导体封装包括:
半导体芯片,
封装体,所述封装体将所述半导体芯片封装在内,
金属板,所述金属板具有第一板表面和相对置的第二板表面,其中,所述第一板表面在所述封装体上露出,其中,所述半导体芯片布置在所述第二板表面上,
其中,所述第一板表面具有如下图案:所述图案具有第一图块和第二图块,所述第一图块具有第一平均粗糙度,所述第二图块具有第二平均粗糙度,其中,所述第一平均粗糙度大于所述第二平均粗糙度。
2.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述图案包括棋盘图案或由布置成矩阵的三角形、圆形、六边形或矩形构成的图案。
3.根据权利要求1或2所述的半导体封装,其中,所述第一图块具有10μm或更高、尤其30μm的平均粗糙度。
4.根据权利要求3所述的半导体封装,其中,所述第二图块具有0.5μm或更低、尤其0.2μm或更低的平均粗糙度。
5.根据以上权利要求中任一项所述的半导体封装,其中,所述第一图块具有1.5mm或更小、尤其1.0mm或更小的棱边长度。
6.根据以上权利要求中任一项所述的半导体封装,其中,所述图案完全由所述第一板表面的边缘包围,其中,所述边缘具有至少0.2mm、尤其至少0.4mm的宽度,其中,所述边缘具有所述第二平均粗糙度。
7.根据权利要求6所述的半导体封装,其中,所述边缘的宽度为1.5mm或更小、尤其1.0mm或更小。
8.根据以上权利要求中任一项所述的半导体封装,所述半导体封装还包括:
电镀层,所述电镀层施加在所述图案上,其中,所述电镀层尤其布置在所述第二图块上方。
9.根据权利要求8所述的半导体封装,所述半导体封装还包括:
冷却体,所述冷却体布置在所述第一板表面上方,其中,在所述冷却体与所述电镀层之间布置有导热膏。
10.根据权利要求8或9所述的半导体封装,其中,所述电镀层具有10μm或更低、尤其9μm或更低的平均粗糙度。
11.根据以上权利要求中任一项所述的半导体封装,其中,所述第一板表面在所述封装体的第一表面上露出,所述半导体封装还包括:
外接通部,所述外接通部布置在所述封装体的与所述第一表面相对置的第二表面上。
12.一种用于半导体封装的金属板,所述金属板包括:
第一板表面和相对置的第二板表面,其中,所述第二板表面构造成安装在半导体芯片上,
其中,所述第一板表面具有如下图案:所述图案由具有第一平均粗糙度的第一图块和具有第二平均粗糙度的第二图块构成,其中,所述第一平均粗糙度大于所述第二平均粗糙度。
13.根据权利要求12所述的半导体封装,其中,所述图案包括棋盘图案。
14.一种用于制造半导体封装的方法,所述方法包括:
提供半导体芯片,
提供具有第一板表面和相对置的第二板表面的金属板,其中,所述半导体芯片布置在所述第二板表面上,
将所述半导体芯片封装在封装体内,
其中,所述第一板表面在所述封装体上露出,
其中,所述第一板表面具有如下图案:所述图案由具有第一平均粗糙度的第一图块和具有第二平均粗糙度的第二图块构成,其中,所述第一平均粗糙度大于所述第二平均粗糙度。
15.根据权利要求14所述的方法,所述方法还包括:
冲压所述金属板,以便产生所述图案。
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