[发明专利]高电导率硅氧负极材料及其应用在审

专利信息
申请号: 201911230649.1 申请日: 2019-12-04
公开(公告)号: CN111048756A 公开(公告)日: 2020-04-21
发明(设计)人: 陈青华;房冰;胡盼;刘江平 申请(专利权)人: 兰溪致德新能源材料有限公司
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/48;H01M4/62;H01M10/0525
代理公司: 北京久诚知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11542 代理人: 余罡
地址: 321100 浙江省金华市兰*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 电导率 负极 材料 及其 应用
【权利要求书】:

1.一种高电导率硅氧负极材料,其特征在于,所述硅氧负极材料包括硅基内核和在所述硅基内核表面形成的包覆层,所述包覆层包括碳和快离子导体,所述快离子导体在包覆层形成完整离子传输通道,直接连接所述硅基内核并延伸至所述包覆层表面。

2.如权利要求1所述的一种高电导率硅氧负极材料,其特征在于,所述硅基材料的化学式为SiOx,其中,0<x<2;优选地,硅基材料包括纳米硅、氧化亚硅、二氧化硅、金属元素掺杂的硅氧化合物中的一种或多种。

3.如权利要求1所述的一种高电导率硅氧负极材料,其特征在于,所述包覆层中的碳包括硬碳、软碳、石墨、碳纳米管中的一种或多种。

4.如权利要求1所述的一种高电导率硅氧负极材料,其特征在于,所述包覆层中的快离子导体为具有SEI膜功能的材料。

5.如权利要求4所述的一种高电导率硅氧负极材料,其特征在于,所述包覆层中的快离子导体包括但不限于三氧化二铝、二氧化钛、氧化锆、偏铝酸锂、偏磷酸铝、偏磷酸锂、锂镧锆氧化合物、锂锗磷硫化合物和氧化乙烯基聚合物中的一种或多种。

6.如权利要求1所述的一种高电导率硅氧负极材料,其特征在于,所述硅基内核粒径为1-20μm,所述包覆层厚度为5-100nm。

7.如权利要求6所述的一种高电导率硅氧负极材料,其特征在于,所述硅基内核粒径为2-10μm,所述包覆层厚度为10-50nm。

8.如权利要求1-7中任一项所述高电导率硅氧负极材料的制备方法,其特征在于,将快离子导体材料在溶剂中研磨,然后加入碳源混合均匀,干燥、烧结碳化后得到高电导率硅氧负极材料。

9.如权利要求8所述高电导率硅氧负极材料的制备方法,其特征在于所述干燥方式为喷雾干燥;

和/或

所述快离子导体材料的粒径研磨至与碳层厚度一致;优选地,所述快离子导体材料研磨至粒径50nm以下。

10.一种锂离子电池,其特征在于,所述锂离子电池包括权利要求1-7任一项所述的高电导率硅氧负极材料或权利要求8-9任一项制备得到的高电导率硅氧负极材料。

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