[发明专利]晶圆级超声波装置及其制造方法

权利要求书

1.一种晶圆级超声波装置，其特征在于，包括：

复合层，包含超声波元件及保护层，所述超声波元件包含第一电极及第二电极，所述第一电极及所述第二电极不连接，所述保护层覆盖所述超声波元件，并具有第一连通道及第二连通道，所述第一连通道的一端对应于所述第一电极、所述第二连通道的一端对应于所述第二电极；

第一导电层，位于所述第一连通道中，电性连接所述第一电极，且部分的所述第一导电层曝露于所述保护层；

第二导电层，位于所述第二连通道中，电性连接所述第二电极，且部分的所述第二导电层曝露于所述保护层；

底座，与所述保护层连接，所述底座包含开口，所述开口与所述保护层形成密闭空腔；

第一电性连接区，所述第一电性连接区中填入金属材料电性连接所述第一导电层；以及

第二电性连接区，所述第二电性连接区中填入所述金属材料电性连接所述第二导电层。

2.根据权利要求1所述的晶圆级超声波装置，其特征在于，所述超声波元件包括第一压电层、所述第一电极、第二压电层、以及所述第二电极，所述第一电极位于所述第一压电层上，所述第二压电层位于所述第一电极上、所述第二电极位于所述第二压电层上，且所述第二压电层及所述第二电极未完全覆盖出所述第一电极。

3.根据权利要求2所述的晶圆级超声波装置，其特征在于，所述保护层包含第一保护层及第二保护层，所述第一保护层覆盖所述超声波元件，并曝露出部分的所述第一电极及部分的所述第二电极，所述第一导电层及所述第二导电层位于所述第一保护层上，分别连接所述第一电极及所述第二电极，所述第二保护层覆盖所述第一导电层、所述第二导电层及所述第一保护层，并曝露出部分的所述第一导电层及部分的所述第二导电层。

4.根据权利要求1所述的晶圆级超声波装置，其特征在于，所述超声波元件包括第一超声波单元及第二超声波单元，所述第一超声波单元包括第一压电层及所述第一电极，所述第一压电层包覆所述第一电极，且所述第一压电层具有接触孔，以暴露出部分的所述第一电极，所述第二超声波单元垂直所述基板方向未与所述第一超声波单元重叠，所述第二超声波单元包含第二压电层、第二电路层及所述第二电极，所述第二压电层与所述第一压电层为同层且彼此分离，所述第二电路层被包覆于所述第二压电层内，所述第二电路层与所述第一电极为同层且彼此分离，所述第二电极位于所述第二压电层上。

5.根据权利要求4所述的晶圆级超声波装置，其特征在于，所述保护层包含第一保护层及第二保护层，所述第一保护层覆盖所述第一超声波单元、所述第二超声波单元，所述第一保护层具有第一连通孔及第二连通孔，所述第一连通孔连通所述接触孔，所述第二连通孔曝露出所述第二电极的一部分，所述第一导电层及所述第二导电层位于所述第一保护层上，所述第一导电层填入所述接触孔及所述第一连通孔中并连接所述第一电极，所述第二导电层填入所述第二连通孔的一部分中并连接所述第二电极，所述第二保护层覆盖所述第一导电层、所述第二导电层、所述第一保护层及所述第二电极，并曝露出部分的所述第一导电层及部分的所述第二导电层。

6.根据权利要求4所述的晶圆级超声波装置，其特征在于，所述第一压电层包含第一底压电层及第一顶压电层，所述第一电极位于所述第一底压电层上，并被所述第一顶压电层包覆，所述第一顶压电层包含所述接触孔以曝露出部分的所述第一电极，所述第二压电层包含第二底压电层及第二顶压电层，所述第二电路层位于所述第二底压电层上，并被所述第二顶压电层包覆，所述第二电极位于所述第二顶压电层上。

7.根据权利要求2或权利要求4所述的晶圆级超声波装置，其特征在于，所述第一电性连接区及所述第二电性连接区贯穿所述底座的穿孔。

8.根据权利要求7所述的晶圆级超声波装置，其特征在于，包含两焊垫，分别位于所述底座远离所述保护层的一侧，分别连接位于所述第一电性连接区及所述第二电性连接区中的所述金属材料。