[发明专利]存储器及其制作方法

说明书

本发明提供一种存储器及其制作方法。其中，所述存储器包括存储单元、有源区、栅极、互联金属层和浅沟道隔离区；所述浅沟道隔离区与有源区水平间隔排列；栅极设置在有源区上方，栅极与有源区相互垂直；每个有源区包括多个源极和多个漏极，每一个栅极与多个有源区形成多个共栅的晶体管，同一有源区中的相邻晶体管共用源极或漏极；互联金属层位于源极上方以及相邻的栅极之间，以将共栅的晶体管的源极互联。本发明通过互联金属层实现共联栅极的源极互联，替换掉了用于互联源极的通孔，从而规避了相关设计规则的束缚，并降低了存储器的设计尺寸，进而提高了存储器的密度。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种存储器及其制作方法。

背景技术

当前的MRAM基本采用源极与位线平行，与字线垂直的方式布局走线。并用金属通孔连接每个存储单元的源极和漏极。在通常的MRAM单元结构中，共字线的位元其CMOS源极互联接同电位，漏极连接磁性隧道结(MTJ)并将位线互联用以选址，字线(栅极)纵向互联用以选址。源极及位线(漏极)的金属走线为同一方向并与位线垂直。其中，每两个存储单元共用的源极通过通孔连接至互联金属层以实现互联。

但是由于设计规则的限制，通孔至通孔的间距、通孔至多晶硅的间距难以进一步微缩。

发明内容

本发明提供的存储器及其制作方法，通过互联金属层实现共联栅极的源极互联，替换掉了用于互联源极的通孔，从而规避了相关设计规则的束缚，并降低了所述存储器的设计尺寸，进而提高了存储器位元的密度。

第一方面，本发明提供一种存储器，包括存储单元、有源区、栅极、互联金属层和浅沟道隔离区；

所述浅沟道隔离区与所述有源区水平间隔排列；

所述栅极设置在所述有源区上方，所述栅极与所述有源区相互垂直；

每个所述有源区包括多个源极和多个漏极，每一个栅极与多个所述有源区形成多个共栅的晶体管，同一所述有源区中的相邻晶体管共用源极或漏极；

所述互联金属层位于所述源极上方以及相邻的栅极之间，以将共栅的晶体管的源极互联。

可选地，所述互联金属层位于所述浅沟道隔离区的上方。

可选地，所述互联金属层的侧面和底面均包裹有掩埋层。

可选地，所述存储器设置有源极线，所述源极线为所述互联金属层。

可选地，所述存储器还设置有位线；同一有源区中的漏极通过所述位线互联。

可选地，所述存储单元包括：磁性隧道结；

每一所述漏极均连接一个所述磁性隧道结。

可选地，所述存储器还设置有字线，且共联栅极的字线互联。

第二方面，本发明提供一种存储器的制作方法，包括：

步骤S102：提供衬底，并在所述衬底的上方形成水平间隔排列的有源区和浅沟道隔离区；

步骤S104：在完成步骤S102后，在所述有源区的上方沿纵向形成栅极，且同一列的栅极互联，所述有源区包括多个源极和多个漏极，互联的栅极两侧分别为源极和漏极；

步骤S106：在完成步骤S104后，沉积金半接触合金层；

步骤S108：在完成步骤106后，沉积钝化层；

步骤S110：在完成步骤S108后，沉积第一中间介质绝缘层；

步骤S112：在完成步骤S110后，去除所述源极正上方的第一中间介质绝缘层和对应位置处的钝化层，以露出所述源极正上方的金半接触合金层；