[发明专利]具有高增益及高频陷波的双极化基站辐射阵子

权利要求书

1.一种具有高增益及高频陷波的双极化基站辐射阵子，其特征在于，包括有：

一个反射底板；

至少一个低频辐射阵子，固定安装在所述反射底板上；

至少四个高频辐射阵子，固定安装在所述反射底板上，且均匀环绕在所述低频辐射阵子的四周；

至少四条金属丝，分别独立对称架设在所述低频辐射阵子四周分布的支撑架上。

2.根据权利要求1所述的具有高增益及高频陷波的双极化基站辐射阵子，其特征在于，所述低频辐射阵子包括有一个压铸馈电结构、一个PCB耦合馈电结构和四个PCB辐射枝节，所述压铸馈电结构的下端固定安装在所述反射底板上，所述PCB耦合馈电结构和所述PCB辐射枝节安装于所述压铸馈电结构的上端。

3.根据权利要求2所述的具有高增益及高频陷波的双极化基站辐射阵子，其特征在于，所述PCB耦合馈电结构包括有一介质板，所述介质板的上下两面分别都印制有四个呈类矩形的铜箔，且所述介质板上下两面的所述铜箔通过金属化过孔一一对应导通；所述介质板同一面上的四个所述铜箔呈对称分布，且四个所述铜箔两两相邻间隔出四条间隔缝隙；每一所述铜箔上均刻蚀有一开路缝隙。

4.根据权利要求3所述的具有高增益及高频陷波的双极化基站辐射阵子，其特征在于，所述开路缝隙为直线型缝隙或L型缝隙或弯折型缝隙，且所述开路缝隙的总长度为对应频点的四分之一波长。

5.根据权利要求3所述的具有高增益及高频陷波的双极化基站辐射阵子，其特征在于，四个所述PCB辐射枝节的一端分别安装在所述介质板上端面的四个所述间隔缝隙上，所述PCB辐射枝节上下两面设有相同的至少一辐射片，所述辐射片呈矩形和/或阶梯型和/或多折线型结构。

6.根据权利要求3所述的具有高增益及高频陷波的双极化基站辐射阵子，其特征在于，所述压铸馈电结构包括有空气微带线结构和至少两根短路金属柱，所述空气微带线结构与所述短路金属柱连接以构成天线的巴伦。

7.根据权利要求6所述的具有高增益及高频陷波的双极化基站辐射阵子，其特征在于，所述空气微带线结构包括有第一微带地、第二微带地、第一微带馈电片和第二微带馈电片，所述第一微带地和所述第一微带馈电片通过第一印制金属导体与所述介质板下端面的两个铜箔连接，所述第二微带地和所述第二微带馈电片通过第二印制金属导体与所述介质板下端面的另两个铜箔连接。

8.根据权利要求3所述的具有高增益及高频陷波的双极化基站辐射阵子，其特征在于，所述介质板为FR4基板。

9.根据权利要求1所述的具有高增益及高频陷波的双极化基站辐射阵子，其特征在于，所述支撑架为塑料材质，且竖立安装在所述反射底板上。

10.根据权利要求1～9任一项所述的具有高增益及高频陷波的双极化基站辐射阵子，其特征在于，所述金属丝为直线型或直角型或圆弧型或不规则型；和/或

单个所述金属丝的总长度在215mm～245mm；和/或

所述高频辐射阵子为常规高频压铸阵子，所述低频辐射阵子嵌套于所述高频辐射阵子的正中心。