[发明专利]一种高效碱性光刻胶剥离液

说明书

本发明属于化学制剂技术领域，涉及一种高效碱性光刻胶剥离液，配方包括10～20wt％二甲基亚砜，10～20wt％一乙醇胺，5～15wt％四甲基氢氧化铵，0.1～1wt％喹啉类缓蚀剂，0.1～2wt％AEO类表面活性剂和余量的去离子水。本高效碱性光刻胶剥离液具有较快的剥离速度，对金属的腐蚀率低，而且使用寿命长。

技术领域

本发明涉及化学制剂技术领域，特别涉及一种高效碱性光刻胶剥离液。

背景技术

TFT-LCD是薄膜晶体管液晶显示器英文thin film transistor-liquid crystaldisplay字头的缩写。TFT-LCD技术是微电子技术与液晶显示器技术巧妙结合的一种技术。人们利用在Si上进行微电子精细加工的技术，移植到在大面积玻璃上进行TFT阵列的加工，再将该阵列基板与另一片带彩色滤色膜的基板，利用已成熟的LCD技术，形成一个液晶盒相结合，再经过后工序如偏光片贴覆等过程，最后形成液晶显示器。

在LED芯片中的导线制备中，必不可少的使用到光刻胶。使用时是将光刻胶作为涂层覆盖在金属表面，然后用显影的办法让一部分固化，一部分不固化。然后洗掉未固化部分，对暴露的金属进行蚀刻，形成线路，最后将固化部分用剥离液洗掉。所以剥离液要对光刻胶有良好的溶解性，但是对金属不能有过量的腐蚀。

因此有必要开发一种蚀刻效率高而且对金属镀层破坏小的光刻胶剥离液。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种高效碱性光刻胶剥离液，既具有较高的光刻胶剥离效率，又不会对金属镀层有很大的腐蚀。

本发明通过如下技术方案实现上述目的：

一种高效碱性光刻胶剥离液，配方包括10～20wt％二甲基亚砜，10～20wt％一乙醇胺，5～15wt％四甲基氢氧化铵，0.1～1wt％喹啉类缓蚀剂，0.1～2wt％AEO类表面活性剂和余量的去离子水。

具体的，所述喹啉类缓蚀剂包括环氧丙烷基氯化喹啉、烯丙基氯化喹啉、萘甲基氯化喹啉、6-氨基喹啉或7-二氯-8-羟基喹啉中的一种。

具体的，所述AEO类表面活性剂为AEO-3、AEO-7、AEO-9中的一种。

采用上述技术方案，本发明技术方案的有益效果是：

本高效碱性光刻胶剥离液具有较快的剥离速度，对金属的腐蚀率低，而且使用寿命长。

具体实施方式

本发明涉及一种高效碱性光刻胶剥离液，配方包括10～20wt％二甲基亚砜，10～20wt％一乙醇胺，5～15wt％四甲基氢氧化铵，0.1～1wt％喹啉类缓蚀剂，0.1～2wt％AEO类表面活性剂和余量的去离子水。

脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO)是由聚乙二醇(PEG)与脂肪醇缩合而成的醚，其脂肪醇的链段带来亲油性，聚乙二醇部分有亲水性，故可以作为表面活性剂使用。因为分子中的醚键不易被酸、碱破坏，所以稳定性较高，水溶性较好，耐电解质，易于生物降解，泡沫小。

喹啉类缓蚀剂在酸碱环境下能够长期保持活度，在缓释的效果以外与AEO形表面活性剂配合可以起到提高处理量的作用。

下面结合具体实施例对本发明作进一步详细说明。

实施例1～6：

按照表1配方将二甲基亚砜、一乙醇胺、四甲基氢氧化铵、喹啉类缓蚀剂、AEO类表面活性剂和去离子水混合，得到高效碱性光刻胶剥离液。

表1：

注：含量中不满100wt％的部分由去离子水补足余量。