[发明专利]一种激光加热制备外延石墨烯的方法有效
| 申请号： | 201911222939.1 | 申请日： | 2019-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN111017914B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 涂溶;章嵩;张联盟 | 申请（专利权）人： | 气相科技（武汉）有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/188 | 分类号： | C01B32/188 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 崔友明;官群 |
| 地址： | 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区理*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 激光 加热 制备 外延 石墨 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种激光加热制备外延石墨烯的方法，其特征在于，具体步骤如下：
1）将清洗干净的SiC基板放入激光化学气相沉积设备的沉积腔体，所述SiC基板为SiC单晶基板，向腔体内通入高纯Ar气，调节腔体内气体压强为1000~10000Pa；
2）开启激光照射SiC基板，所述激光的波长范围为1000~1064 nm，激光的功率密度为448~550W·cm−2，使基板表面温度以400~600℃/s的速率升温至1500~2000℃，继续照射1~5min；
3）调节激光功率，激光波长不变，使基板表面温度以100~200℃/s的速率降温至600℃，关闭激光，停止通入Ar，打开真空泵抽气，保持腔体的真空度为1~10 Pa，自然冷却至室温，在SiC基板表面得到外延石墨烯。
2.根据权利要求1所述的激光加热制备外延石墨烯的方法，其特征在于，步骤1）所述Ar气纯度为99.999%以上，Ar气的流速为200~2000sccm。
3.根据权利要求1或2所述方法制备得到的外延石墨烯，其特征在于，所述外延石墨烯方阻为0.43~0.75 Ω/sq，层数为3层以上，D/G面积比为0.01~0.03。
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