[发明专利]热电器件及其制备方法

权利要求书

1.一种热电器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供第一衬底和第二衬底；在所述第一衬底上形成氧化层，以及在所述第二衬底上形成纳米线材料层；

键合所述氧化层和纳米线材料层；并去除所述第二衬底；

刻蚀所述纳米线材料层，形成若干纳米线；

淀积高应力材料层，以提高若干所述纳米线内载流子的迁移率；

自所述高应力材料层的顶部向下刻蚀形成接触孔，所述接触孔位于若干所述纳米线的两端；

在所述接触孔的孔底且与所述纳米线的接触处形成硅化物；沉淀金属；基于所述金属，在所述接触孔处形成接触电极，并在所述接触电极的外侧形成加热电极；

退火处理。

2.根据权利要求1所述的热电器件的制备方法，其特征在于，所述高应力材料层为SiN；所述高应力材料层的层厚小于等于5微米。

3.根据权利要求1所述的热电器件的制备方法，其特征在于，所述纳米线材料层为Si、Ge、SiGe或SiGeSn中的任意一种；所述纳米线材料层的层厚小于或等于500纳米。

4.根据权利要求1所述的热电器件的制备方法，其特征在于，所述硅化物为：NiSi、TiSi₂或CoSi₂中的任意一种；所述硅化物的层厚小于等于50纳米。

5.根据权利要求1所述的热电器件的制备方法，其特征在于，若干所述纳米线的长度大于等于50微米；所述纳米线的根数大于等于1根。

6.根据权利要求1所述的热电器件的制备方法，其特征在于，所述氧化层为二氧化硅，所述氧化层的层厚小于或等于10微米；

采用热氧化法、化学气相沉积法、原子层沉积法或物理气相沉积法形成所述氧化层。

7.根据权利要求1所述的热电器件的制备方法，其特征在于，所述金属为Ni、Ti、Cu、Pt、Cr、Au、Al中的任意一种。

8.根据权利要求1所述的热电器件的制备方法，其特征在于，所述第一衬底和第二衬底均为IV、II-V、III-V或II-VI族化合物半导体材料中的任意一种。

9.一种热电器件，其特征在于，包括：

第一衬底，形成在所述第一衬底上的氧化层，形成在所述氧化层上的若干纳米线，形成在所述氧化层和若干纳米线上，且用于提高若干纳米线内载流子迁移率的高应力材料层；所述高应力材料层中形成有接触孔，所述接触孔是自高应力材料层的顶部向下刻蚀形成的，所述接触孔位于若干纳米线的两端，在所述接触孔的孔底且与纳米线的接触处形成有硅化物，所述接触孔处形成有接触电极，以及设置在所述接触电极外侧的加热电极。

10.根据权利要求9所述的热电器件，其特征在于，所述高应力材料层为SiN，所述高应力材料层的层厚小于等于5微米。

11.根据权利要求9所述的热电器件，其特征在于，所述纳米线材料层为Si、Ge、SiGe或SiGeSn中的任意一种；所述纳米线材料层的层厚小于或等于500纳米。

12.根据权利要求9所述的热电器件，其特征在于，所述硅化物为：NiSi、TiSi₂或CoSi₂中的任意一种；所述硅化物的层厚小于等于50纳米。

13.根据权利要求9所述的热电器件，其特征在于，若干所述纳米线的长度大于等于50微米；所述纳米线的根数大于等于1根。

14.根据权利要求10所述的热电器件，其特征在于，所述接触电极和加热电极为Ni、Ti、Cu、Pt、Cr、Au、Al中的任意一种。