[发明专利]一种用于叠层晶圆的光刻胶剥离液

说明书

本发明属于化学制剂技术领域，涉及一种用于叠层晶圆的光刻胶剥离液，配方包括10～20wt％二甲基亚砜，10～20wt％一乙醇胺，5～11wt％四甲基氢氧化铵，0.1～1wt％硫脲类缓蚀剂和0.1～2wt％聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂，5～15wt％N‑甲基吡咯烷酮和余量的去离子水。本用于叠层晶圆的光刻胶剥离液具有较快的剥离速度，对金属的腐蚀率低，而且使用寿命长。

技术领域

本发明涉及化学制剂技术领域，特别涉及一种用于叠层晶圆的光刻胶剥离液。

背景技术

随着半导体制造技术以及立体封装技术的不断发展，电子器件和电子产品对多功能化和微型化的要求越来越高。在这种小型化趋势的推动下，要求芯片的封装尺寸不断减小。3D叠层粉妆技术的封装体积小，立体空间大，引线距离短，信号传输快，所以能够更好地实现封装的微型化。晶圆叠层是3D叠层封装的一种形式。叠层晶圆在制造的过程中会对最外层的晶圆表面进行显影蚀刻，当中会用到光刻胶剥离液。以往的光刻胶剥离液对金属的腐蚀较大，可能进入叠层内部造成线路减薄，药液残留，影响产品的质量。

因此有必要开发一种不会对叠层晶圆产生过腐蚀的光刻胶剥离液。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种用于叠层晶圆的光刻胶剥离液，既具有较高的光刻胶剥离效率，又不会对晶圆内层有很大的腐蚀。

本发明通过如下技术方案实现上述目的：

一种用于叠层晶圆的光刻胶剥离液，配方包括10～20wt％二甲基亚砜，10～20wt％一乙醇胺，5～11wt％四甲基氢氧化铵，0.1～1wt％硫脲类缓蚀剂和0.1～2wt％聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂，5～15wt％N-甲基吡咯烷酮和余量的去离子水。

具体的，所述硫脲类缓蚀剂包括硫脲、苯基硫脲或月桂酰基硫脲中的一种。

具体的，所述聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂为聚氧乙烯聚氧丙烯单丁基醚、壬基酚聚氧乙烯醚、辛基酚聚氧乙烯醚、十二烷基聚氧乙烯醚、二壬基酚聚氧乙烯醚中的一种。

采用上述技术方案，本发明技术方案的有益效果是：

本用于叠层晶圆的光刻胶剥离液具有较快的剥离速度，对金属的腐蚀率低，而且使用寿命长。

具体实施方式

本发明涉及一种用于叠层晶圆的光刻胶剥离液，配方包括10～20wt％二甲基亚砜，10～20wt％一乙醇胺，5～11wt％四甲基氢氧化铵，0.1～1wt％硫脲类缓蚀剂和0.1～2wt％聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂，5～15wt％N-甲基吡咯烷酮和余量的去离子水。

聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂因为分子中的醚键不易被酸、碱破坏，所以稳定性较高，水溶性较好，耐电解质，易于生物降解，泡沫小。

硫脲类缓蚀剂呈现弱碱性，所以在酸性介质中能够起到缓蚀的效果，另外与聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂和N-甲基吡咯烷酮配合可以起到提高处理量的作用。

下面结合具体实施例对本发明作进一步详细说明。

实施例1～6：

按照表1配方将二甲基亚砜、一乙醇胺、四甲基氢氧化铵、硫脲类缓蚀剂、聚氧乙烯醚类非离子型表面活性剂、N-甲基吡咯烷酮和去离子水混合，得到用于叠层晶圆的光刻胶剥离液。

表1：

注：含量中不满100wt％的部分由去离子水补足余量。