[发明专利]电子传输材料及其制备方法和应用在审
申请号: | 201911213919.8 | 申请日: | 2019-12-02 |
公开(公告)号: | CN112349852A | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 苏亮 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 杜寒宇 |
地址: | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 传输 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种电子传输材料,其特征在于,所述电子传输材料的结构包括内核和壳层;
所述内核的材料为金属氧化物;
所述壳层的材料的导带底能级小于所述内核的材料的导带底能级。
2.根据权利要求1所述的电子传输材料,其特征在于,所述壳层的材料的价带顶能级小于所述内核的材料的价带顶能级。
3.根据权利要求2所述的电子传输材料,其特征在于,所述壳层的材料选自ZnS、ZnSe和ZnTe中的一种或几种。
4.根据权利要求1所述的电子传输材料,其特征在于,所述壳层的材料的价带顶能级大于所述内核的材料的价带顶能级。
5.根据权利要求4所述的电子传输材料,其特征在于,所述壳层的材料选自SiO2和Al2O3中的一种或几种。
6.根据权利要求1-5任一项所述的电子传输材料,其特征在于,所述内核的材料选自ZnO、TiO2和SnO2中的一种或几种。
7.一种电子传输材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
将金属源溶解在溶剂中,加入碱性溶液,反应1-2h,得金属氧化物纳米颗粒;
在所述金属氧化物纳米颗粒表面包裹壳层的材料;
所述壳层的材料的导带底能级小于所述金属氧化物纳米颗粒的导带底能级。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述在所述金属氧化物纳米颗粒表面包裹壳层的材料的步骤包括:向所述金属氧化物纳米颗粒中加入壳材料前驱体,反应1h-4h。
9.根据权利要求7或8所述的制备方法,其特征在于,所述金属源选自锌源、钛源和锡源中的一种或几种;及/或,
所述溶剂选自乙醇、异丙醇和二甲基亚砜中的一种或几种;及/或,
所述碱性溶液选自氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液和四甲基氢氧化铵溶液中的一种或几种。
10.一种量子点发光二极管,其特征在于,所述量子点发光二极管的电子传输层的材料为权利要求1-6任一项所述的电子传输材料,或者为权利要求7-9任一项所述的制备方法制备的电子传输材料。
11.根据权利要求10所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述量子点发光二极管还包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层和阴极,所述空穴注入层设于所述阳极上,所述空穴传输层设于所述空穴注入层上,所述量子点发光层设于所述空穴传输层上,所述电子传输层设于所述量子点发光层上,所述阴极设于所述电子传输层上。
12.根据权利要求10或11所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述量子点发光层中,量子点选自II-VI族化合物半导体、III-V族化合物半导体、I-III-VI族化合物半导体、IV族单质半导体和钙钛矿量子点中的一种或几种;及/或
所述空穴传输层的材料选自有机空穴传输材料或无机空穴传输材料;及/或
所述空穴注入层的材料选自导电聚合物或高功函数的n型半导体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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