[发明专利]化合物及其制备方法和量子点发光二极管

说明书

本发明涉及一种化合物及其制备方法和量子点发光二极管。所述化合物具有式I所示的结构：所述X⁺为金属阳离子；所述Y^‑为与烷基侧链连接的阴离子；n为100～300的正整数。所述化合物用作为界面修饰材料，能够提高空穴注入、传输效率，或者阻碍电子传输，有助于促进电荷平衡，提高QLED寿命，还能维持量子点出色的发光效率。

技术领域

本发明涉及发光器件领域，特别是涉及化合物及其制备方法和量子点发光二极管。

背景技术

由于量子点独特的光电性质，例如发光波长随尺寸和成分连续可调，发光光谱窄，荧光效率高、稳定性好等，基于量子点发光二极管(QLED)在显示领域得到广泛的关注和研究。此外，QLED显示还具有可视角大、对比度高、响应速度快、可柔性等诸多LCD所无法实现的优势，因而有望成为下一代的显示技术。

经过几十年的发展，QLED的性能取得了很大的进展，例如：在没有特殊光提取层的前提下，红、绿QLED已报道的最高外量子效率均已超过20％，接近理论极限，蓝光QLED的最高外量子效率也接近20％。但是QLED在寿命方面的表现却差强人意，尤其是蓝光QLED。目前，主流的观点认为：电子空穴不平衡是QLED寿命低下的主要原因。这是由量子点独特的能级结构以及量子点发光层与阴阳极之间不对称的电荷注入势垒(阳极到量子点发光层之间的空穴注入/传输势垒明显大于阴极至量子点发光层之间的电子注入/传输势垒)造成的。再加上常用的空穴传输材料的HOMO能级与量子点价带顶能级之间存在明显的空穴势垒，不能够有效地注入空穴，造成QLED电子过量的严重问题。此外，量子点表面存在大量的阴离子悬空键以及其他的表面缺陷，会捕获电子造成非辐射复合，严重影响量子点的发光效率和发光强度。

发明内容

基于此，本发明提供一种具有特定结构的化合物，所述化合物用作为界面修饰材料时，能够提高空穴注入、传输效率，或者阻碍电子传输，有助于促进电荷平衡，提高QLED寿命，还能维持量子点出色的发光效率。

技术方案为：

一种化合物，具有式I所示的结构：

所述X⁺为金属阳离子；

所述Y^-为与烷基侧链连接的阴离子；

n为100～300的正整数。

本发明还提供一种化合物材料的制备方法。

技术方案为：

一种化合物的制备方法，包括以下步骤：

将结构式为的化合物A、结构式为的化合物B和钯催化剂混合，再加入溶剂和碱性溶液，得混合物，其中，所述X⁺为金属阳离子；所述Y^-为与烷基侧链连接的阴离子；所述R₁为卤素，所述R₂为卤素，所述R₃为硼酸酯基，所述R₄为硼酸酯基；

将所述混合物在80-120℃的条件下，反应20h-28h，生成具有式I所示的结构的化合物：

其中，所述n为100～300的正整数。

本发明还提供一种量子点发光二极管。

技术方案为：

一种量子点发光二极管，量子点发光二极管具有界面修饰层，所述界面修饰层的原料包括上述的化合物，或上述的制备方法制得的化合物；

所述界面修饰层设于所述量子点发光二极管的量子点发光层和电子传输层之间，及/或，

所述界面修饰层设于所述量子点发光二极管的量子点发光层和空穴传输层之间。