[发明专利]表面等离子体泵浦发光装置

权利要求书

1.一种有机发射装置，其包含：

衬底；

安置于所述衬底上的第一电极；

安置于所述第一电极上的发射堆叠，所述发射堆叠包含第一有机发射材料；

安置于所述发射堆叠上的第二电极；

包含等离子体材料的第一增强层，所述等离子体材料展现非辐射地耦合到有机发射层中的有机发射材料并且将激发态能量从所述有机发射材料转移到所述增强层的表面等离子体极化激元的非辐射模式的表面等离子体共振；以及

发射出耦层，其安置于所述衬底上并且包含第二发射材料；

其中所述装置被配置用于将能量从所述增强层的表面等离子体极化激元的非辐射模式转移到所述第二发射材料。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一增强层包含所述第一电极或所述第二电极。

3.根据权利要求2所述的装置，其中所述第一增强层包含粘附层。

4.根据权利要求1所述的装置，其进一步包含第二增强层。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一电极、所述第二电极中的每一个或所述第一电极和所述第二电极中的每一个包含独立地选自由以下组成的群组的材料：Au、Ag、Mg、Al、Ir、Pt、Ni、Cu、W、Ta、Fe、Cr、Ga、Rh、Ti、Cr、Ru、Pd、In、Bi、小有机分子、聚合物、SiO₂、TiO₂、Al₂O₃、绝缘氮化物、Si、Ge和这些材料的堆叠或合金。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二发射材料包含选自由以下组成的群组的材料：量子点、钙钛矿纳米晶体、金属有机框架、共价有机框架、热激活延迟荧光TADF发射体、荧光发射体和磷光有机发射体。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二发射材料包含具有不超过20nm的斯托克斯位移的材料。

8.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二发射材料包含将高能激发态转换成较低能量波长发射的降频转换材料。

9.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二发射材料包含在分子受到激发时改变一或多个跃迁偶极矩TDM的定向的分子。

10.根据权利要求9所述的装置，其中在所述发射出耦层内所述第二发射材料的浓度有所变化。

11.根据权利要求10所述的装置，其中所述浓度与距离所述发射出耦层的界面的距离成比例渐变。

12.根据权利要求1所述的装置，其进一步包含与所述第一发射出耦层相邻的第二发射出耦层。

13.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二发射材料包含针对吸收单重态和发射三重态具有非平行跃迁偶极矩TDM的发射三重态发射材料。

14.根据权利要求13所述的装置，其中所述第二发射材料被布置成使得所述单重态TDM与所述第二电极不平行。

15.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二发射材料包含荧光团，其具有与相同荧光团内的一或多个较高能量单重态TDM不平行的最低能量单重态TDM。