[发明专利]分配溶剂的方法

说明书

本公开实施例涉及一种分配溶剂的方法。公开一种具有动态控制的多次喷洒光刻胶减量消耗工艺，以改善最终产出率且进一步地减少光刻胶成本。在一实施例中，一种分配溶剂的方法包括：在第一时段以第一速度旋转的同时，在半导体基板上分配溶剂的第一层；在第二时段以第二速度旋转的同时，在半导体基板上分配溶剂，以便将第一层转换成溶剂的第二层；在第三时段以第三速度旋转的同时，在半导体基板上分配溶剂，以便将第二层转换成溶剂的第三层；在第四时段以第四速度旋转的同时，在半导体基板上分配溶剂，以便将第三层转换成溶剂的第四层；以及在第五时段以第五速度旋转的同时，在溶剂的第四层上分配光刻胶的第一层。

技术领域

本公开实施例涉及一种分配溶剂的方法，特别涉及一种多次分配光刻胶减量消耗溶剂的方法。

背景技术

在半导体制造期间，进行各种光刻(photolithographic)工艺以施加层至半导体晶圆，或在半导体晶圆中进行植入。感光(photosensitive)光刻胶(photoresist，光阻剂)被施加至晶圆，且使用光罩(photomask)图案化(patterned)感光光刻胶以形成硬质遮罩(mask)，用于后续的沉积或蚀刻工艺。光刻胶的成本是半导体制造中大量的材料成本。光刻胶减量消耗(Reducing Resist Consumption，RRC)工艺在半导体产业中被广泛地使用以降低每晶圆的光刻胶成本。然而，此工艺经常伴随着各种涂层缺陷(例如：微气泡)，使改善最终产出率和进一步地减少每晶圆的光刻胶成本变得困难。本公开利用具有动态控制的多次喷洒光刻胶减量消耗工艺，以改善最终产出率且进一步地减少光刻胶成本。

发明内容

本公开实施例提供一种分配溶剂的方法，包括：在第一时段以第一速度旋转的同时，在半导体基板上分配溶剂的第一层；在第二时段以第二速度旋转的同时，在半导体基板上分配溶剂，以便将第一层转换成溶剂的第二层；在第三时段以第三速度旋转的同时，在半导体基板上分配溶剂，以便将第二层转换成溶剂的第三层；在第四时段以第四速度旋转的同时，在半导体基板上分配溶剂，以便将第三层转换成溶剂的第四层；以及在第五时段以第五速度旋转的同时，在溶剂的第四层上分配光刻胶的第一层。

本公开实施例提供一种分配溶剂的方法，包括：在第一时段以第一速度旋转的同时，在半导体基板上分配溶剂的第一层；在第二时段以第二速度旋转的同时，在半导体基板上分配溶剂，以便将第一层转换成溶剂的第二层；在旋转的同时，在半导体基板上分配溶剂，以便将第二层转换成溶剂的第三层；在第三时段以第三速度旋转的同时，在半导体基板上分配溶剂，以便将第三层转换成溶剂的第四层；在第四时段以第四速度旋转的同时，在半导体基板上分配溶剂，以便将第四层转换成溶剂的第五层；以及在第五时段以第五速度旋转的同时，在溶剂的第五层上分配光刻胶的第一层。

本公开实施例提供一种分配溶剂的方法，包括：在第一时段以第一速度旋转的同时，在半导体基板上分配溶剂的第一层；在第二时段以第二速度旋转的同时，在半导体基板上分配溶剂，以便将第一层转换成溶剂的第二层；在第三时段以第三速度旋转的同时，在半导体基板上分配溶剂，以便将第二层转换成溶剂的第三层；在第四时段以第四速度旋转的同时，在半导体基板上分配溶剂，以便将第三层转换成溶剂的第四层；以及在第五时段以第五速度旋转的同时，在溶剂的第四层上分配光刻胶的第一层，其中第三速度大于第一速度，其中第一速度大于第二速度，且其中第二速度大于第四速度，其中第一时段及第三时段各自等于第一时段、第二时段、第三时段、及第四时段的总和的30％至50％，且其中第二时段及第四时段各自等于第一时段、第二时段、第三时段、及第四时段的总和的20％至30％。

附图说明

根据以下的详细说明并配合说明书附图做完整公开。应被强调的是，根据本产业的一般作业，图示并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸，以做清楚的说明。

图1根据本公开的一些实施例示出用于以薄膜涂布半导体晶圆的旋涂器系统的示例方框图。

图2A至图2F根据本公开的一些实施例示出在旋涂(spin-coating)工艺期间的基板的剖面图。