[发明专利]基于碳化硅材料的压阻式加速度传感器的制造方法

权利要求书

1.一种基于碳化硅材料的压阻式加速度传感器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

通过正面干法刻蚀机对SiC晶片外延层进行电阻光刻刻蚀，并形成电阻图形；

使用SiO₂保护隔离件，并在预设位置刻蚀窗口完成介质孔光刻操作；

将元器件镂空部分的通过正面深槽光刻方式正面刻蚀预设深度，并通过预设深度控制电阻条所在的悬臂梁位置厚度；

在所述电阻条SiO₂窗口位置通过lift-off工艺形成欧姆接触；

通过金属布线光刻方法将元器件做成pad，并与所述欧姆接触形成金属互联；

对所述金属互联部分依次通过清洗操作、正面匀胶操作、正面键合操作完成背面减薄；

再对经过处理的所述金属互联部分依次通过溅射操作、光刻操作、显影操作、坚膜操作、打底膜操作、腐蚀金属操作、刻蚀操作完成背孔光刻操作；

还包括：制备碳化硅的掩膜版；

还包括：对所述金属互联部分依次通过清洗操作、正面匀胶操作、正面键合操作完成背面减薄的次数为两次。