[发明专利]一种全紫外-中红外波段的超宽带偏振不敏感吸收器在审
申请号: | 201911211818.7 | 申请日: | 2019-12-02 |
公开(公告)号: | CN110873909A | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 朱路;刘唤;陈娇;刘媛媛 | 申请(专利权)人: | 华东交通大学 |
主分类号: | G02B5/00 | 分类号: | G02B5/00;G02B1/00 |
代理公司: | 南昌贤达专利代理事务所(普通合伙) 36136 | 代理人: | 范鑫鑫 |
地址: | 330000 江西省南昌市*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 紫外 红外 波段 宽带 偏振 敏感 吸收 | ||
1.一种全紫外-中红外波段的超宽带偏振不敏感吸收器,其特征在于,包括基底(1)和设置在所述基底(1)上呈周期性排列的超材料单元结构,所述超材料单元结构包括依次设置的多层介质/金属膜(2)和单层介质膜/金属(3),还包括设置在所述多层介质/金属膜(2)外层的外层介电圆柱环(4),所述外层介电圆柱环(4)的高度小于所述多层介质/金属膜(2)的高度。
2.如权利要求1所述的一种全紫外-中红外波段的超宽带偏振不敏感吸收器,其特征在于,所述基底(1)的材料为铁、铝或铜。
3.如权利要求2所述的一种全紫外-中红外波段的超宽带偏振不敏感吸收器,其特征在于,所述基底(1)的厚度为180~220mm。
4.如权利要求1所述的一种全紫外-中红外波段的超宽带偏振不敏感吸收器,其特征在于,所述多层介质/金属膜(2)和单层介质膜/金属(3)为十字型结构。
5.如权利要求4所述的一种全紫外-中红外波段的超宽带偏振不敏感吸收器,其特征在于,所述多层介质/金属膜(2)为交替设置的介质条(21)和金属膜(22),所述介质条(21)的厚度大于所述金属膜(22)的厚度;
和/或所述单层介质膜/金属(3)为依次设置的介质膜(31)和金属条(32),所述金属条(32)的厚度大于所述介质膜(31)的厚度。
6.如权利要求5所述的一种全紫外-中红外波段的超宽带偏振不敏感吸收器,其特征在于,所述多层介质/金属膜(2)的臂长为80~120nm,臂宽为55~100nm;所述介质条(21)的厚度为140~150nm,所述金属膜(22)的厚度为10~15nm;
和/或所述介质膜(31)的臂长为80~120nm,臂宽为55~100nm,厚度为10~15nm;所述金属条(32)的臂长为26~36nm,臂宽为22~32nm,厚度为40~60nm。
7.如权利要求5所述的一种全紫外-中红外波段的超宽带偏振不敏感吸收器,其特征在于,所述介质条(21)的材料为硅、二氧化硅、氮化硅、氧化铝或氟化镁,与所述介质条(21)相邻的两层所述金属膜(22)的材料不同,分别为金或银,以及铁、铝或铜;
和/或所述介质膜(31)的材料为硅、二氧化硅、氮化硅、氧化铝或氟化镁,所述金属条(32)的材料为铁、铝或铜。
8.如权利要求1所述的一种全紫外-中红外波段的超宽带偏振不敏感吸收器,其特征在于,所述外层介电圆柱环(4)的材料为硅、二氧化硅、氮化硅、氧化铝或氟化镁,内半径为110~170nm,外半径为130~190nm,高度为540~705nm。
9.如权利要求1所述的一种全紫外-中红外波段的超宽带偏振不敏感吸收器,其特征在于,所述超材料单元结构的阵列周期为260~380nm。
10.如权利要求1至9中任一项所述的一种全紫外-中红外波段的超宽带偏振不敏感吸收器,其特征在于,在太阳能捕获和紫外防护中的应用。
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