[发明专利]一种植入式医疗器件的制造方法有效
| 申请号： | 201911211784.1 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN111048428B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 杨汉高;吴天准 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H05K3/36 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强;陈聪 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 植入 医疗 器件 制造 方法 | ||
1.一种植入式医疗器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供植入式封装基板，所述封装基板表面具有间隔设置的多个第一焊盘；
提供集成电路板，所述集成电路板与所述封装基板待连接的一面设有与所述第一焊盘相对应的多个第二焊盘，所述第二焊盘上植有焊球；
在所述第一焊盘上印刷锡膏；将所述集成电路板与印刷有所述锡膏的封装基板相贴合，使所述锡膏与对应的焊球相接触，且使所述第二焊盘在所述封装基板上的正投影落入所述第一焊盘内；其中，所述锡膏为无铅高温免清洗锡膏，所述锡膏的锡粉粒径为10-25μm；所述锡膏中添加有助焊剂；
采用高纯氮气回流焊技术，将所述集成电路板与所述封装基板连接在一起，得到植入式医疗器件；其中，在所述高纯氮气回流焊的过程中，焊接温度超过所述锡膏的液相线的时间为30-90s，最高的焊接温度为250-265℃，所述高纯氮气的氮气纯度不低于99.8％。
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述高纯氮气回流焊的过程中，所述焊接温度的升温速率为0.5-4℃/s。
3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，在所述高纯氮气回流焊的过程中，冷却速率控制在0.5-8℃/s。
4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述高纯氮气为纯度100％的氮气，或者为含有0.01％-0.1％氧气的氮气。
5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述锡膏为金属元素含量为86-90％的SnAgCu系列锡膏。
6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述助焊剂选自SF64、SF36、NC 5070、SURF 20和TACFlux 025中的一种或多种。
7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述助焊剂的质量为所述锡膏的质量的5-15％。
8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述焊球的材质为锡、金或其合金；所述焊球的尺寸不超过所述第一焊盘的尺寸。
9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述焊球的尺寸为0.01-1mm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
