[发明专利]半导体器件及其制造方法及包括该半导体器件的电子设备

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

沟道部，包括：

沿相对于衬底的竖直方向延伸的呈鳍形式的第一部分；以及

从所述第一部分的一侧沿相对于衬底的横向方向延伸的呈纳米片形式的第二部分；

设置在所述沟道部在平行于衬底表面的第一方向上的相对两侧从而与所述沟道部在所述两侧的侧壁相接的源/漏部；以及

沿与所述第一方向相交的第二方向延伸从而与所述沟道部相交的栅堆叠。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，沟道部包括多个所述第二部分，各第二部分之间在竖直方向上彼此间隔开。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，沟道部包括单晶半导体材料。

4.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，沟道部的第一部分与源/漏部之间，沟道部的第二部分与源/漏部之间，以及沟道部的第一部分与第二部分之间中至少之一处存在晶体界面。

5.根据权利要求2 所述的半导体器件，其中，所述多个第二部分具有相同的形状，且在竖直方向上对准。

6.根据权利要求1或2所述的半导体器件，还包括：

在栅堆叠的侧壁上形成的隔墙，所述隔墙面向各源/漏部的侧壁在竖直方向上共面。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述隔墙包括：

在沟道部的两侧以及在沟道部的最上的第二部分上延伸的第一部分；以及

在沟道部的各第二部分之间以及沟道部的最下的第二部分与衬底之间延伸的第二部分，

其中，隔墙的第一部分和第二部分包括不同的材料。

8.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，栅堆叠在各第二部分的上、下表面上延伸，栅堆叠在各第二部分的上表面上延伸的部分的侧壁与栅堆叠在相应第二部分的下表面上延伸的部分的侧壁在竖直方向上对齐。

9.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，栅堆叠与沟道部的第二部分相交的部分的侧壁与栅堆叠与沟道部的第一部分相交的部分的侧壁对齐。

10.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，沟道部的第一部分的顶面高于最上的第二部分的顶面。

11.根据权利要求1或2所述的半导体器件，还包括：设于沟道部与衬底之间的第一隔离部。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，还包括：

在衬底上形成的第二隔离部，

其中，栅堆叠形成在第一隔离部和第二隔离部上。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，还包括：在沟道部的第一部分之下，在第一隔离部和第二隔离部之间的穿通阻止部。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，穿通阻止部为与衬底相接的半导体。

15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，

所述半导体器件是n型器件，且穿通阻止部的半导体是p型掺杂；或者

所述半导体器件是p型器件，且穿通阻止部的半导体是n型掺杂。

16.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，第一隔离部与第二隔离部在所述第二方向上相接。

17.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，沟道部的第一部分通过第一隔离部与衬底相隔离。

18.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，第一隔离部位于沟道部的第一部分之下，源/漏部之间。