[发明专利]双齿硫铂三重态发射体及其在有机发光二极管中的应用有效

专利信息
申请号: 201911207365.0 申请日: 2019-11-29
公开(公告)号: CN111018919B 公开(公告)日: 2023-06-30
发明(设计)人: 支志明;毛茂;张玉贞;程刚 申请(专利权)人: 香港大学深圳研究院
主分类号: C07F15/00 分类号: C07F15/00;C09K11/06;H10K50/11;H10K71/12;H10K71/15
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邹宗亮;牟科
地址: 518057 广东省深圳市南山区粤海*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 双齿硫铂 三重态 发射 及其 有机 发光二极管 中的 应用
【权利要求书】:

1.化合物,其为:

2.一种发光器件,其具有有序结构,包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极,其中发光层包括权利要求1的化合物。

3.权利要求2的发光器件,其为有机发光二极管OLED。

4.权利要求2或3的发光器件的湿法制备工艺,包括将作为发光层的主体材料和发光材料按25:1至4:1的比例混合溶于有机溶剂中;然后将其涂覆在空穴传输层上;最后在无水无氧的氛围下烘干。

5.权利要求4的发光器件的湿法制备工艺,其中所述主体材料为PYD2。

6.权利要求4的发光器件的湿法制备工艺,其中所述发光材料为权利要求1的化合物。

7.权利要求4的发光器件的湿法制备工艺,其中所述有机溶剂为氯苯。

8.权利要求4的发光器件的湿法制备工艺,其中所述涂覆是在80~150摄氏度的温度下进行。

9.权利要求4的发光器件的湿法制备工艺,其中所述烘干的时间为10分钟。

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