[发明专利]双齿硫铂三重态发射体及其在有机发光二极管中的应用有效
申请号: | 201911207365.0 | 申请日: | 2019-11-29 |
公开(公告)号: | CN111018919B | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | 支志明;毛茂;张玉贞;程刚 | 申请(专利权)人: | 香港大学深圳研究院 |
主分类号: | C07F15/00 | 分类号: | C07F15/00;C09K11/06;H10K50/11;H10K71/12;H10K71/15 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邹宗亮;牟科 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山区粤海*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双齿硫铂 三重态 发射 及其 有机 发光二极管 中的 应用 | ||
1.化合物,其为:
2.一种发光器件,其具有有序结构,包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极,其中发光层包括权利要求1的化合物。
3.权利要求2的发光器件,其为有机发光二极管OLED。
4.权利要求2或3的发光器件的湿法制备工艺,包括将作为发光层的主体材料和发光材料按25:1至4:1的比例混合溶于有机溶剂中;然后将其涂覆在空穴传输层上;最后在无水无氧的氛围下烘干。
5.权利要求4的发光器件的湿法制备工艺,其中所述主体材料为PYD2。
6.权利要求4的发光器件的湿法制备工艺,其中所述发光材料为权利要求1的化合物。
7.权利要求4的发光器件的湿法制备工艺,其中所述有机溶剂为氯苯。
8.权利要求4的发光器件的湿法制备工艺,其中所述涂覆是在80~150摄氏度的温度下进行。
9.权利要求4的发光器件的湿法制备工艺,其中所述烘干的时间为10分钟。
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