[发明专利]静电防护结构在审
| 申请号： | 201911207201.8 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN112885817A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 张志伟 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 黄丽 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电 防护 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种静电防护结构，其特征在于，包括：
导电本体，环绕所需要保护的芯片，且所述导电本体接地；和
导电凸起，设置于所述导电本体。
2.如权利要求1所述的静电防护结构，其特征在于，所述导电本体为从第一端开始至第二端结束的开放式防护圈线路。
3.如权利要求2所述的静电防护结构，其特征在于，还包括测试垫，所述测试垫设置于所述开放式防护圈线路的两端。
4.如权利要求1至3任一所述的静电防护结构，其特征在于，所述导电本体包括多圈导电线路，且每一所述导电线路均具有所述导电凸起。
5.如权利要求4所述的静电防护结构，其特征在于，靠近所述芯片的所述导电线路上的所述导电凸起背向和/或朝向所述芯片。
6.如权利要求4所述的静电防护结构，其特征在于，所述多圈导电线路中各所述导电线路的图形相同或不同。
7.如权利要求4所述的静电防护结构，其特征在于，所述多圈导电线路中相邻的各所述导电线路的所述导电凸起交错排布。
8.如权利要求4所述的静电防护结构，其特征在于，各所述导电线路的所述导电凸起形状相同或不同。
9.如权利要求4所述的静电防护结构，其特征在于，所述导电本体最外侧的所述导电线路具有背向所述芯片方向间隔排布的所述导电凸起。
10.如权利要求9所述的静电防护结构，其特征在于，所述导电凸起为矩形凸起。
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