[发明专利]静电放电保护装置及其布局设计

权利要求书

1.一种用于半导体装置的静电放电保护装置，其具有栅极、源极以及漏极，所述源极包括硅化部，其具有多个源极接触点，所述漏极包括硅化部，其具有多个漏极接触点，其中所述源极以及所述漏极沿装置轴线远离所述栅极延伸，其特征在于，所述静电放电保护装置包括：

电阻保护氧化部，位于所述多个漏极接触点之间以及所述多个源极接触点之间的所述半导体装置上。

2.根据权利要求1所述的用于半导体装置的静电放电保护装置，其特征在于，所述电阻保护氧化部包括多个电阻保护氧化区，所述多个电阻保护氧化区与其所位于的半导体区域具有相同宽度。

3.根据权利要求2所述的用于半导体装置的静电放电保护装置，其特征在于，所述多个电阻保护氧化区个别地位于所述多个漏极接触点之间以及所述多个源极接触点之间。

4.根据权利要求2所述的用于半导体装置的静电放电保护装置，其特征在于，所述半导体装置的所述多个漏极接触点群组化为多个漏极接触部，所述多个电阻保护氧化区位于所述多个漏极接触部之间。

5.根据权利要求2所述的用于半导体装置的静电放电保护装置，其特征在于，所述半导体装置的所述多个源极接触点群组化为多个源极接触部，所述多个电阻保护氧化区位于所述多个源极接触部之间。

6.一种静电放电保护电路，其特征在于，所述静电放电保护电路包括：权利要求1至5中任一项所述的静电放电保护装置。

7.一种用于半导体装置的布局样式，其包括栅极区的布局、具有多个源极接触点的源极区以及具有多个漏极接触点的漏极区，其中所述源极区以及所述漏极区沿装置轴线远离所述栅极区延伸，其特征在于，所述布局样式包括：

电阻保护氧化部，其在所述多个漏极接触点之间的所述漏极区上以及在所述多个源极接触点之间的所述源极区上个别地部分覆盖所述半导体装置。

8.根据权利要求7所述的用于半导体装置的布局样式，其特征在于，所述电阻保护氧化部包括多个电阻保护氧化区，所述多个电阻保护氧化区与其覆盖的所述半导体装置的所述区域具有相同的宽度。

9.根据权利要求8所述的用于半导体装置的布局样式，其特征在于，所述多个电阻保护氧化区覆盖于所述多个漏极接触点之间的所述漏极区上以及所述多个源极接触点之间的所述源极区上的所述半导体装置。

10.根据权利要求8所述的用于半导体装置的布局样式，其特征在于，所述半导体装置的所述多个源极接触点群组化为多个漏极接触部，所述多个电阻保护氧化区部分地覆盖所述多个漏极接触部之间的所述漏极区。

11.根据权利要求8所述的用于半导体装置的布局样式，其特征在于，所述半导体装置的所述多个源极接触点群组化为多个源极接触部，所述多个电阻保护氧化区部分地覆盖所述多个源极接触部之间的所述源极区。