[发明专利]高密度管脚QFN的封装结构与方法

说明书

本发明提供一种高密度管脚QFN的封装结构，属于半导体封装技术领域，包括引线框架结构，所述引线框架结构包括引线框架单元；其中，所述引线框架单元包括位于中部的芯片结合部以及围绕所述芯片结合部分布的四组管脚结合部阵列，在所述管脚结合部阵列的管脚结合部中嵌入有至少一个半切割道绝缘件，所述半切割道绝缘件位于管脚半切线上，并将一个管脚结合部分隔为至少两个管脚结合部。利用本发明，能够有效增加管脚密度，从而提高封装结构的集成度。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，更为具体地，涉及一种可提高管脚密度的QFN封装结构及其封装方法。

背景技术

QFN(QuadFlatNo-leadPackage，四侧无管脚扁平封装)是一种无管脚封装，呈正方形或矩形，封装底部中央位置有一个大面积裸露焊盘用来导热，管脚分布在封装底面的四个边缘，围绕大焊盘的封装外围四周有实现电气连结的导电焊盘，通过外露的引线框架焊盘进行散热，QFN具有电和热性能良好、体积小、重量轻、开发成本低的特点，适合应用在手机、数码相机、PDA以及其他便携小型电子设备的高密度印刷电路板上。但是，QFN具有I/O数量较少以及集成度低的弊端。

因此，如何提高QFN的管脚密度，成为目前亟需解决的问题。

发明内容

鉴于上述问题，本发明的目的是提供一种高密度管脚QFN的封装结构与方法，以解决QFN的I/O数量较少以及集成度低的问题。

本发明提供的一种高密度管脚QFN的封装结构，包括引线框架结构，引线框架结构包括引线框架单元；其中，引线框架单元包括位于中部的芯片结合部以及围绕芯片结合部分布的四组管脚结合部阵列，在管脚结合部阵列的管脚结合部中嵌入有至少一个半切割道绝缘件，半切割道绝缘件位于管脚半切线上，并将一个管脚结合部分隔为至少两个管脚结合部。

此外，优选的结构是，半切割道绝缘件的高度与管脚半切深度之和等于引线框架结构的厚度，半切割道绝缘件为有色绝缘体。

此外，优选的结构是，

嵌入每个管脚结合部中的半切割道绝缘件的数量为1-5件；并且，

在半切割道绝缘件的底部设置有管脚半切形成的半切割道，在半切割道内填充有填充件。

此外，优选的结构是，引线框架结构包括至少两个引线框架单元，相邻两个引线框架单元之间通过切割槽相连接；并且，

引线框架单元包括外框和角筋，管脚结合部阵列设置在外框上，在外框的四个角处设置有角筋，角筋的一端连接外框，另一端连接芯片结合部。

此外，优选的结构是，在角筋上设置有向两侧延伸的加强筋，加强筋连接管脚结合部阵列与角筋。

此外，优选的结构是，相邻的管脚结合部的半切割道绝缘件相互连接为长条形，相邻组的管脚结合部阵列的半切割道绝缘件在两管脚结合部阵列之间的角筋处交汇。

此外，优选的结构是，半切割道绝缘件的两侧的管脚结合部阵列互相交错设置。

此外，优选的结构是，还包括：粘晶在引线框架单元上的芯片、用于连接芯片与管脚的引线以及封装在引线框架单元上的塑封体；其中，

在半切割道绝缘件的两侧的管脚结合部阵列，以半切割道绝缘件为中轴对称设置。

本发明提供的一种高密度管脚QFN的封装方法，包括：

S110、在引线框架结构上嵌入半切割道绝缘件，当每个管脚结合部上设置一个半切割道绝缘件时，半切割道绝缘件将每组管脚结合部阵列分隔为靠近芯片结合部的管脚结合部阵列一及远离芯片结合部的管脚结合部阵列二；

S120、在引线框架结构的芯片结合部上粘晶芯片，在管脚结合部阵列一及管脚结合部阵列二上分别设置管脚阵列一与管脚阵列二，通过引线分别连接芯片与管脚阵列一、管脚阵列二；