[发明专利]TFT基板的断线修复方法

说明书

本申请提供一种TFT基板的断线修复方法，其包括，提供所述TFT基板；找出所述TFT基板中的断线及所述断线上断点的位置；去除所述断点两侧表面上的膜层，以暴露所述断线所在的金属层；在所述断点暴露的金属层上形成修复线，以使所述断点两侧的所述断线电连通；所述修复线为直线状，所述修复线于所述断线所在金属层的正投影的延伸方向和所述断线的延伸方向一致；切割所述修复线周侧的所述透明电极层，形成隔离区域，防止所述修复线与所述像素电极发生短路。

技术领域

本申请涉及一种显示技术，特别涉及一种TFT基板的断线修复方法。

背景技术

在TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)行业，阵列(Array)制程中，对金属层(Metal)图案化形成电路导线，由于存在制程异物，导致电路导线断开，从而形成不良品。

目前断线修复均采用如下“半框型”长线修复方式，存在问题是：“半框”所框区域在成盒(Cell)制程后，通电点亮时，会发亮形成碎亮点。

发明内容

本申请实施例提供一种TFT基板的断线修复方法，以解决现有的阵列基板进行断线修复，在成盒制程后，通电点亮时，发亮形成碎亮点的技术问题。

本申请实施例提供一种TFT基板的断线修复方法，所述TFT基板包括由下至上依次设置的衬底基板、第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层和透明电极层，所述第一金属层中形成有栅线，所述第二金属层中形成有数据线，所述透明电极层中形成有像素电极，所述栅线和数据线交叉形成像素区域，所述像素电极设置在所述像素区域中，其中，所述方法包括：

步骤S11，提供所述TFT基板；

步骤S12，找出所述TFT基板中的断线及所述断线上断点的位置；

步骤S13，去除所述断点两侧表面上的膜层，以暴露所述断线所在的金属层；

步骤S14，在所述断点暴露的金属层上形成修复线，以使所述断点两侧的所述断线电连通；所述修复线为直线状，所述修复线于所述断线所在金属层的正投影的延伸方向和所述断线的延伸方向一致；

步骤S15，切割所述修复线周侧的所述透明电极层，形成隔离区域，防止所述修复线与所述像素电极发生短路。

在本申请的TFT基板的断线修复方法中，所述步骤S12包括：

采用阵列测试站点进行检测，找出所述TFT基板中的断线及所述断线上断点的位置坐标，并记录所述位置坐标。

在本申请的TFT基板的断线修复方法中，所述步骤S13包括：

修补机台根据所述位置坐标，找到相应的断点；后通过激光去除所述断点两侧表面上的膜层，以暴露所述断线所在的金属层。

在本申请的TFT基板的断线修复方法中，所述步骤S14包括：

根据所述断点的位置坐标，设定直线状的修复路径，并根据所述修复路径在所述断点暴露的金属层上形成修复线，以使所述断点两侧的所述断线电连通。

在本申请的TFT基板的断线修复方法中，采用激光将气态金属碳化物沉积于暴露金属层上，形成所述修复线。

在本申请的TFT基板的断线修复方法中，所述气态金属碳化物为六碳化钨。

在本申请的TFT基板的断线修复方法中，所述步骤S15包括：

根据所述修复路径设定形成隔离区域的切割路径，并根据所述切割路径在所述透明电极层中对应于所述修复线周侧的区域进行激光切割，以形成所述隔离区域，防止所述修复线与所述像素电极发生短路。