[发明专利]一种省隔离器边发射光器件及制作方法

权利要求书

1.一种省隔离器边发射光器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1，在半导体衬底（1）上外延生长缓冲层（2）和有源波导层（3）；

S2，腐蚀有源波导层（3）的端部，制作无波导段（4）；

S3，在有源波导层（3）和无波导段（4）上作二次外延层（6）生长；

S4，在二次外延层（6）上制作边发射光器件的条形结构，减薄衬底（1）的背面，在光器件的正面和背面分别制作正面电极（7）和背面电极（8）；

S5，在边发射光器件的出光端面蒸镀减反射介质膜I（9）。

2.根据权利要求1所述的省隔离器边发射光器件的制作方法，其特征在于，所述边发射光器件包括FP激光器、SLD、SOA、DFB激光器、DBR激光器或波长可调谐激光器。

3.根据权利要求1或2所述的省隔离器边发射光器件的制作方法，其特征在于，若所述边发射光器件为含光栅的光器件，则在步骤S3之前，增加在有源波导层（3）的悬浮光栅层上制作光栅（5）的步骤；所述含光栅的光器件包括DFB激光器、DBR激光器或波长可调谐激光器。

4.根据权利要求3所述的省隔离器边发射光器件的制作方法，其特征在于，在步骤S1中，所述衬底（1）为InP、GaAs、GaN、SiC、AlN或ZnO衬底中的一种；所述缓冲层（2）中包含远场减小层（11）；所述有源波导层（3）包括下限制层、多量子阱有源区结构层、上限制层和悬浮光栅层，所述有源波导层（3）生长在缓冲层（2）上。

5.根据权利要求4所述的省隔离器边发射光器件的制作方法，其特征在于，所述缓冲层（2）的掺杂类型与衬底（1）的掺杂类型相同，缓冲层（2）的掺杂浓度为5×10¹⁸-5×10¹⁷cm^-3，由下至上渐次递减；所述多量子阱有源区结构层不掺杂，上限制层和下限制层不掺杂或仅下限制层轻掺杂，当下限制层轻掺杂时，下限制层的掺杂类型与衬底（1）相同；所述悬浮光栅层的掺杂类型与衬底（1）相反，且悬浮光栅层的掺杂浓度为2×10¹⁷-6×10¹⁷cm^-3。

6.根据权利要求1或5所述的省隔离器边发射光器件的制作方法，其特征在于，在步骤S2中，所述无波导段（4）的长度为5-20μm。

7.根据权利要求6所述的省隔离器边发射光器件的制作方法，其特征在于，在步骤S3中，所述二次外延层（6）包括从下至上依次生长的光栅填埋层或InP薄层、刻蚀停止层、包层、带隙过渡层和欧姆接触层，二次外延层（6）的掺杂类型与衬底（1）相反，掺杂浓度为2×10¹⁷-2×10¹⁹cm^-3，且掺杂浓度从下至上依次增加。

8.根据权利要求1或7所述的省隔离器边发射光器件的制作方法，其特征在于，在步骤S4中，所述条形结构包括脊形波导条形结构和异质掩埋条形结构；所述无波导段（4）设置在边发射光器件的出光端或者对称设置在边发射光器件的两端。

9.根据权利要求8所述的省隔离器边发射光器件的制作方法，其特征在于，在步骤S5中，所述边发射光器件的背光端面蒸镀减反射介质膜II（9'）或高反射介质膜（10），高反射介质膜（10）的反射系数为75% -95%；所述减反射介质膜I（9）的反射系数为0.01% -0.05%。

10.一种省隔离器边发射光器件，其特征在于，所述边发射光器件由权利要求1或9所述的省隔离器边发射光器件的制作方法所制作。