[发明专利]一种硅碳负极材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201911201711.4 申请日: 2019-11-29
公开(公告)号: CN110931744B 公开(公告)日: 2021-03-16
发明(设计)人: 曾绍忠;韩培刚 申请(专利权)人: 深圳技术大学
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文
地址: 518118 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 负极 材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种硅碳负极材料的制备方法,其特征在于,包括步骤:

向硅源中加入第一聚合物单体、第二聚合物单体以及催化剂,加热搅拌条件下得到聚合物纳米带包覆硅材料;所述催化剂为非氧化性酸;

将所述聚合物纳米带包覆硅材料在惰性气体中进行碳化处理,得到硅碳负极材料;

所述第一聚合物单体为苯酚、对苯二酚、邻苯二酚、间苯二酚中的一种;所述第二聚合物单体为甲醛或乙醛中的一种;

所述硅源为具有嵌锂活性的含硅材料,所述含硅材料包括纳米硅、微米硅、多孔硅或一氧化硅;当所述硅源为纳米硅时,其粒径大小为30~500nm;当所述硅源为微米硅、多孔硅或一氧化硅时,其粒径大小为0.5~10μm;

所述第一聚合物单体和所述第二聚合物单体的质量之和与所述硅源的质量比为1:1~1:9;

向硅源中加入第一聚合物单体、第二聚合物单体以及催化剂,加热搅拌条件下得到聚合物纳米带包覆硅材料的步骤具体包括:

向硅源中加入第一聚合物单体、第二聚合物单体以及催化剂,50~100℃下搅拌1~12h,在加热搅拌条件下,所述第一聚合物单体和所述第二聚合物单体通过界面聚合包覆在所述硅源表面,并经过过滤、洗涤及干燥得到聚合物纳米带包覆硅材料;

所述硅源、所述第一聚合物单体以及所述第二聚合物单体的质量之和为所述催化剂质量的2%~20%;其中,所述催化剂质量为催化剂和所述催化剂中溶剂质量之和。

2.根据权利要求1所述的硅碳负极材料的制备方法,其特征在于,所述第一聚合物单体和所述第二聚合物单体的摩尔比为1:2。

3.根据权利要求1所述的硅碳负极材料的制备方法,其特征在于,所述催化剂中氢离子浓度为1~5mol/L。

4.根据权利要求1所述的硅碳负极材料的制备方法,其特征在于,所述碳化处理参数为:升温速度为10℃/min;升温至700~1000℃后保温1~4h。

5.一种硅碳负极材料,其特征在于,采用如权利要求1-4任一所述的硅碳负极材料的制备方法制备而成。

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