[发明专利]一种微透镜的制作方法

权利要求书

1.一种微透镜的制作方法，其特征在于，该制作方法包括以下步骤：

(1)提供衬底，并在所述衬底上制备掩蔽层，所述掩蔽层在所述衬底上的位置与待制作的微透镜于所述衬底上的位置一致；所述衬底是采用半导体材料制成的；

(2)对所述衬底进行热氧化，此时所述掩蔽层使所述衬底的表面选择性地生长氧化物；之后，对所述衬底进行氢氟酸湿法腐蚀或者氟化氢气体干法刻蚀以去掉所述衬底在热氧化时所产生的氧化物；其中，待制作的微透镜的曲率半径R的计算公式为：

式中，r为掩蔽层的半径；h为氧化过程中消耗的衬底的厚度；

(3)重复步骤(2)，直至所述掩蔽层自所述衬底上脱离，由此在所述衬底上形成微透镜。

2.如权利要求1所述的微透镜的制作方法，其特征在于：所述衬底的材料为硅、锗、GaN、氮化铝、氮化镁及砷化镓中的一种。

3.如权利要求2所述的微透镜的制作方法，其特征在于：所述掩蔽层的材料为氮化硅、金、氧化钛、氧化铬、碳化硅、氧化锌及氧化铝中的一种。

4.如权利要求1所述的微透镜的制作方法，其特征在于：通过控制热氧化的速率来控制微透镜曲面的曲率。

5.如权利要求1所述的微透镜的制作方法，其特征在于：步骤(2)中采用的热氧化温度为600℃～1400℃。

6.如权利要求5所述的微透镜的制作方法，其特征在于：热氧化的压强为0.1～0.25个标准大气压，热氧化形成的氧化层厚度为10nm～30000nm。

7.如权利要求1所述的微透镜的制作方法，其特征在于：所述衬底中杂质硼的浓度在4.0e¹⁶～2.0e²⁰cm^-3。

8.如权利要求1所述的微透镜的制作方法，其特征在于：所述衬底的材料为硅，所述掩蔽层的材料为氮化硅。

9.如权利要求8所述的微透镜的制作方法，其特征在于：通过控制硅氧化的温度、反应时间、湿氧氧化中O₂和H₂O的比率以及衬底的杂质浓度来控制氧化速率。