[发明专利]一种力学增强的超薄半透明电磁屏蔽膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201911199987.3 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN110868842B | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 马明国;马畅;曹文涛;张伟;辛伟 | 申请（专利权）人： | 北京林业大学 |
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00;C08L1/02;C08K7/00;C08K3/14;C08K3/28;C08J5/18 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 张皓 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 力学 增强 超薄 半透明 电磁 屏蔽 及其 制备 方法 | ||
1.一种超薄半透明电磁屏蔽膜，所述电磁屏蔽膜由单层MXene和细菌纤维素基膜构成，其中复合膜的厚度为1.607μm至1.732μm，细菌纤维素基膜的厚度为1.574μm，细菌纤维素基膜用于支撑和保护MXene。
2.根据权利要求1所述的超薄半透明电磁屏蔽膜，其特征在于，所述超薄半透明电磁屏蔽膜具有大于10000dB cm2/g的屏蔽效率。
3.根据权利要求2所述的超薄半透明电磁屏蔽膜，其特征在于，所述超薄半透明电磁屏蔽膜具有大于30000dB cm2/g的屏蔽效率。
4.根据权利要求2所述的超薄半透明电磁屏蔽膜，其特征在于，所述超薄半透明电磁屏蔽膜具有大于70000dB cm2/g的屏蔽效率。
5.根据权利要求1所述的超薄半透明电磁屏蔽膜，其特征在于，所述超薄半透明电磁屏蔽膜具有大于413.91MPa且不大于532.87MPa的拉伸应力。
6.根据权利要求1所述的超薄半透明电磁屏蔽膜，其特征在于，所述超薄半透明电磁屏蔽膜具有大于451.01MPa且不大于532.87MPa的拉伸应力。
7.根据权利要求1所述的超薄半透明电磁屏蔽膜，其特征在于，所述超薄半透明电磁屏蔽膜具有大于469.43MPa且不大于532.87MPa的拉伸应力。
8.根据权利要求1所述的超薄半透明电磁屏蔽膜，其特征在于，所述超薄半透明电磁屏蔽膜具有大于24.39MJ/m3且不大于31.14MJ/m3的韧性。
9.根据权利要求1所述的超薄半透明电磁屏蔽膜，其特征在于，所述超薄半透明电磁屏蔽膜具有大于25.92MJ/m3且不大于31.14MJ/m3的韧性。
10.根据权利要求1所述的超薄半透明电磁屏蔽膜，其特征在于，所述超薄半透明电磁屏蔽膜具有大于28.28MJ/m3且不大于31.14MJ/m3的韧性。
11.根据权利要求1所述的超薄半透明电磁屏蔽膜，其特征在于，所述超薄半透明电磁屏蔽膜具有大于5265次且不大于6152次的耐折次数。
12.根据权利要求11所述的超薄半透明电磁屏蔽膜，其特征在于，所述超薄半透明电磁屏蔽膜具有大于5560次且不大于6152次的耐折次数。
13.根据权利要求12所述的超薄半透明电磁屏蔽膜，其特征在于，所述超薄半透明电磁屏蔽膜具有大于5828次且不大于6152次的耐折次数。
14.根据权利要求1所述的超薄半透明电磁屏蔽膜，其特征在于，所述超薄半透明电磁屏蔽膜具有大于16.90S/m且不大于509.80S/m的电导率。
15.根据权利要求1所述的超薄半透明电磁屏蔽膜，其特征在于，所述超薄半透明电磁屏蔽膜具有大于63.07S/m且不大于509.80S/m的电导率。
16.根据权利要求1所述的超薄半透明电磁屏蔽膜，其特征在于，所述超薄半透明电磁屏蔽膜具有大于106.53S/m且不大于509.80S/m的电导率。
17.根据权利要求1所述的超薄半透明电磁屏蔽膜，其特征在于，所述超薄半透明电磁屏蔽膜具有大于45.89％且不大于86.70％的透光率。
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